[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

提供基底；

于所述基底内形成侧壁衬垫及栅极沟槽，所述侧壁衬垫位于所述栅极沟槽的外围；

于所述栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括导电层，所述导电层位于所述栅极沟槽内；所述导电层的顶部高于所述侧壁衬垫的底部且低于所述侧壁衬垫的顶部；

于所述栅极沟槽内形成所述栅极结构包括以下步骤：

于所述栅极沟槽的侧壁及底部形成栅氧化层；

于所述栅氧化层的表面形成第一导电层；所述第一导电层的顶部高于所述侧壁衬垫的底部且低于所述侧壁衬垫的顶部；

于所述第一导电层的表面形成第二导电层；所述第二导电层与所述第一导电层共同构成所述导电层；所述第二导电层的顶部高于所述第一导电层的顶部及所述侧壁衬垫的底部且低于所述侧壁衬垫的顶部及所述基底的上表面；

于所述栅极沟槽内形成覆盖介质层，所述覆盖介质层填满所述栅极沟槽；

于所述基底内形成侧壁衬垫及栅极沟槽包括以下步骤：

于所述基底内形成第一沟槽；

于所述第一沟槽的侧壁形成侧壁衬垫材料层；

基于所述第一沟槽下方形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；

于已形成的所述侧壁衬垫材料层的表面、所述第二沟槽的侧壁及底部继续形成侧壁衬垫材料层；

去除位于所述第一沟槽侧壁及所述第二沟槽底部的所述侧壁衬垫材料层，并继续刻蚀位于所述沟槽底部的所述基底，以形成所述侧壁衬垫及所述栅极沟槽；

或者，于所述基底内形成侧壁衬垫及栅极沟槽包括以下步骤：

于所述基底形成第一沟槽；

于所述第一沟槽下方形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；

于所述第一沟槽的侧壁、所述第二沟槽的侧壁及所述第二沟槽的底部形成侧壁衬垫材料层；

去除位于所述第一沟槽侧壁及所述第二沟槽底部的所述侧壁衬垫材料层，并继续刻蚀位于所述沟槽底部的所述基底，以形成所述侧壁衬垫及所述栅极沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述基底内形成有若干个有源区，所述有源区的延伸方向与所述栅极结构的延伸方向相较于小于90°的角度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述栅极沟槽内形成所述栅极结构之后还包括以下步骤：

于所述有源区内的所述栅极结构之间形成第一离子注入区，并于所述栅极结构远离所述第一离子注入区域两侧的有源区内形成第二离子注入区域；所述第一离子注入区域的底部及所述第二离子注入区域的底部均高于所述侧壁衬垫的底部且低于所述导电层的顶部。

4.一种半导体结构，其特征在于，采用权利要求1-3中任一项所述的半导体结构制备方法制备，包括：

基底；

栅极结构，位于所述基底内，所述栅极结构包括导电层；

侧壁衬垫，位于所述基底内，且位于所述栅极结构的外围；所述侧壁衬垫的底部低于所述栅极结构的顶部，且所述侧壁衬垫的顶部高于所述栅极结构的顶部；

所述基底内还形成有栅极沟槽，所述侧壁衬垫位于所述栅极沟槽的外围；所述栅极结构还包括：

栅氧化层，位于所述栅极沟槽的侧壁及底部；

覆盖介质层，位于所述栅极沟槽内，且覆盖所述导电层的顶部；

所述导电层位于所述栅极沟槽内，所述导电层包括第一导电层及第二导电层，所述第一导电层位于所述栅氧化层的表面，所述第一导电层的顶部高于所述侧壁衬垫的底部且低于所述侧壁衬垫的顶部；所述第二导电层位于所述第一导电层的表面，所述第二导电层的顶部高于所述第一导电层的顶部及所述侧壁衬垫的底部且低于所述侧壁衬垫的顶部及所述基底的上表面。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述侧壁衬垫的顶部低于所述基底的上表面。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述侧壁衬垫的顶部与所述基底的上表面相平齐。