[发明专利]陶瓷部件及其制造方法在审
申请号: | 202010004322.9 | 申请日: | 2020-01-03 |
公开(公告)号: | CN111446196A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 堀内道夫;峯村知刚 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C04B37/02;C04B35/10;C04B35/622 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金辉;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷部件,包括:
陶瓷的烧结体;以及
设置在所述烧结体内的铝或铝合金的导电部件。
2.根据权利要求1所述的陶瓷部件,其中,在所述烧结体中形成有到达所述导电部件的孔。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷部件,其中,构成所述烧结体的陶瓷中的96质量%以上为氧化铝。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷部件,其中,所述烧结体的相对密度为90%以上。
5.一种陶瓷部件的制造方法,包括:
在第一生片与第二生片之间夹入铝或铝合金的金属膜的步骤;以及
在所述金属膜的熔点以上的温度下进行所述第一生片和所述第二生片的烧成以得到陶瓷的烧结体的步骤,
其中,在所述第一生片或所述第二生片或者该两者的与所述金属膜接触的表面的一部分处设置有空隙。
6.根据权利要求5所述的陶瓷部件的制造方法,其中,在氧化气氛下进行所述烧成。
7.根据权利要求6所述的陶瓷部件的制造方法,其中,在空气气氛下进行所述烧成。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的陶瓷部件的制造方法,其中,在700℃以上且1600℃以下的温度下进行所述烧成。
9.根据权利要求8所述的陶瓷部件的制造方法,其中,在1300℃以上且1600℃以下的温度下进行所述烧成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造