[发明专利]半导体工程用流路方向转换式反应副产物收集装置

说明书

本发明公开了适用于半导体工程用流路方向转换式反应副产物收集装置，其特征在于：在反应副产物收集装置中，包括：外壳(1)，采用圆筒管形态，配备有形成气体流入口的上板以及形成向内部延长凸出的气体排出口和结合口的下板，用于在对所流入的排出气体进行收容之后再进行排出；以及，流路方向转换式盘型收集塔(2)，以垂直排列的形态安装于上述外壳内部，用于对所流入的排出气体中的反应副产物进行收集，由不同形状的周边开口‑中心网格型收集盘(21)、周边网格‑中心开口型收集盘(22)、周边堵塞‑中心开口型收集盘(23)以及周边开口‑中心堵塞型收集盘(24)构成。

技术领域

本发明涉及一种半导体工程用流路方向转换式反应副产物收集装置，尤其涉及一种安装在用于对从制造半导体的制程腔体排出的排出气体中所包含的反应副产物进行收集的反应物收集装置的后端，通过对排出气体的流路方向进行转换而经过多阶段的收集过程对第1次去除反应副产物之后的排出气体中所残留的微量的未被收集的反应副产物进行去除的第2次反应副产物收集装置。

背景技术

通常，半导体制造工程大体上包括前工程(制造(Fabrication)工程)以及后工程(装配(Assembly)工程)。

上述前工程是指通过在各种制程腔体(Chamber)的内部重复执行在晶圆(Wafer)上沉积形成薄膜并对沉积形成的薄膜进行选择性蚀刻的过程而加工出特定图案的半导体芯片(Chip)制造工程。

此外，上述后工程是指通过对在上述前工程中在晶圆上制造出的芯片进行单独切割分离之后与引线框架进行结合而组装出成品的封装(package)工程。

具体来讲，上述前工程是指在晶圆上沉积形成薄膜或对在晶圆上沉积形成的薄膜进行蚀刻的工程，为此，将在根据不同的工程选择性地向制程腔体的内部注入如SiH4(硅烷，Silane)、砷化氢(Arsine)、氯化硼、氢气、WF6(六氟化钨，Tungsten hexafluoride)、TiCl4(四氯化钛，Titanium tetrachloride)、NH3(氨，Ammonia)等反应气体中的一种以上之后在高温下执行薄膜沉积工程。此时，在制程腔体的内部将产生大量的含有各种易燃气体、腐蚀性异物以及有毒成分的有害气体等。

为了能够在对如上所述的有害气体进行净化之后排出，在半导体制造装置中配备有用于将制程腔体转换成真空状态的真空泵以及用于在真空泵的后端对从制程腔体排出的排出气体进行净化之后再排出到大气的洗涤器(Scrubber)。

但是，因为洗涤器只能对气体形态的反应副产物进行净化和处理，因此当反应副产物在被排出到制程腔体的外部之后发生固化时，会造成如因为附着在排气管中而导致排出气体压力的上升、因为流入到真空泵而诱发泵的故障或因为有害气体逆流到制程腔体而导致晶圆受到污染等多种问题。

为此，半导体制造装置通过在制程腔体与真空泵之间安装反应副产物收集装置而对从制程腔体排出的排出气体进行凝聚。

如上所述的反应副产物收集装置通过泵管与制程腔体以及真空泵连接，从而对在制程腔体内进行反应之后排出的排出气体中所包含的粒子状反应副产物进行凝聚和收集。

但是，因为客户公司的工程发生变化且反应气体量呈现出增加的趋势，仅利用如上所述的反应副产物收集装置并不能完全地去除反应副产物，从而导致所排出的排出气体中有未被收集的粒子状反应副产物残留并因此进一步导致真空泵受损的问题。

先行技术文献

专利文献

(专利文献1)韩国注册专利公报注册编号10-0717837(2007.05.07.)

(专利文献2)韩国注册专利公报注册编号10-0862684(2008.10.02.)

(专利文献3)韩国注册专利公报注册编号10-1447629(2014.09.29.)