[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

位线；

源极线；

存储单元，连接于所述位线与所述源极线之间；

字线，连接于所述存储单元的栅极；以及

控制器，执行读出动作；

在所述读出动作中，所述控制器对所述字线施加第1读出电压及与所述第1读出电压不同的第2读出电压，在施加所述第1读出电压的第1时刻与施加所述第2读出电压的第2时刻分别读出数据，

所述控制器在所述第1时刻与所述第2时刻，分别对所述源极线施加第1电压，在对所述字线施加所述第1读出电压期间且在所述第1时刻之前对所述源极线施加高于所述第1电压的第2电压，在对所述字线施加所述第2读出电压期间且在所述第2时刻之前对所述源极线施加低于所述第1电压的第3电压。

2.一种半导体存储装置，具备：

位线；

源极线；

存储单元，连接于所述位线与所述源极线之间；

字线，连接于所述存储单元的栅极；以及

控制器，执行读出动作；且

在所述读出动作中，所述控制器对所述字线施加第1读出电压及与所述第1读出电压不同的第2读出电压，在施加所述第1读出电压的第1时刻与施加所述第2读出电压的第2时刻分别读出数据，

所述控制器在所述第1时刻与所述第2时刻，分别对所述源极线施加第1电压，在对所述字线施加所述第1读出电压期间且在所述第1时刻之前对所述源极线施加与所述第1电压不同的第2电压，在对所述字线施加所述第2读出电压期间且在所述第2时刻之前对所述源极线施加与所述第1电压及所述第2电压分别不同的第3电压。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

在所述读出动作中，在对所述字线施加所述第1读出电压期间，对所述源极线施加所述第2电压的时间为第1时间，在对所述字线施加所述第2读出电压期间，对所述源极线施加所述第3电压的时间为第2时间，所述第1时间与所述第2时间不同。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述第1读出电压高于所述第2读出电压。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

在所述读出动作中，所述控制器基于施加所述第1读出电压时的读出电压的转变量对所述源极线施加所述第2电压，基于施加所述第2读出电压时的读出电压的转变量对所述源极线施加所述第3电压。

6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

在所述读出动作中，所述控制器在开始施加所述第1读出电压时，暂时施加高于所述第1读出电压的电压，在开始施加所述第2读出电压时，暂时施加高于所述第2读出电压的电压。

7.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其

还具备感测放大器，所述感测放大器包含一端被供给电源电压的第1晶体管、及一端连接于所述第1晶体管的另一端且另一端连接于所述位线的第2晶体管，

在所述读出动作中，所述控制器在所述第1时刻与所述第2时刻，分别对所述第2晶体管施加第4电压，在对所述源极线施加所述第2电压期间对所述第2晶体管施加高于所述第4电压的第5电压，在对所述源极线施加所述第3电压期间对所述第2晶体管施加低于所述第4电压的第6电压。