[发明专利]光源装置

权利要求书

1.一种光源装置，其特征在于，所述光源装置包括：

一基板，包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；

一上电极层，设置于所述基板的所述第一板面；

一围墙，由液晶高分子所制成且设置于所述第一板面；所述围墙呈环形阶梯状且包含有：

一上阶面，远离所述基板；

一上梯面，相连于所述上阶面的内缘；

一下阶面，位于所述上梯面的内侧，并且所述下阶面与所述第一板面的一距离小于所述上阶面与所述第一板面的一距离；

至少一个收容沟，位于所述下阶面与所述上梯面之间；及

一下梯面，相连于所述下阶面内缘且远离所述上阶面；其中，所述下梯面与所述第一板面包围形成有一容置槽；

一发光单元，安装于所述上电极层、并位于所述容置槽内；

一黏着胶，位于至少一个所述收容沟内；以及

一透光件，设置于所述下阶面、并与所述上梯面呈间隔设置；其中，所述透光件通过所述黏着胶而固定于所述围墙；

其中，至少一个所述收容沟的内壁面形成有包含极性基团的一活性分子层，并且所述黏着胶通过作用于所述极性基团而与所述活性分子层接着。

2.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述活性分子层包含有酯基、羧基及羟基的至少其中之一，所述黏着胶包含有与所述活性分子层相互键结的环氧基团及羟基的至少其中一种。

3.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述活性分子层为至少一个所述收容沟的所述内壁面通过一紫外光处理或紫外光臭氧处理而形成。

4.如权利要求3所述的光源装置，其特征在于，所述紫外光处理或所述紫外光臭氧处理采用波长180-365nm的紫外光，且所述紫外光的照射能量要大于所述液晶高分子的碳碳键(C-C)、碳氢键(C-H)及苯环中的碳碳键(π-π*)的至少其中一种。

5.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述围墙包含的至少一个所述收容沟的数量为两个,所述黏着胶位于两个所述收容沟内；所述围墙包含有连接于所述上梯面与所述下阶面的两个倾斜面，并且两个所述倾斜面是分别相连于所述下阶面的相反两侧，每个所述倾斜面的一侧与所述下阶面相连形成有超过90度的一夹角，并且每个所述倾斜面的另一侧与所述上梯面共同构成夹角小于90度的一个收容沟。

6.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述光源装置进一步包括有：

一固晶胶层，黏接于所述发光单元与所述上电极层之间，并且所述固晶胶层形成有自其外表面向内延伸的至少一个孔隙；及

一保护层，附着于所述固晶胶层的所述外表面、并向内延伸入至少一个所述孔隙，以使所述保护层充填于至少一个所述孔隙的局部或全部。

7.如权利要求6所述的光源装置，其特征在于，所述保护层是耐高温有机物、无机物、或无机/有机杂化材料。

8.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述发光单元是一垂直腔面发射激光器或红外灯。

9.如权利要求8所述的光源装置，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包含涂布于其表面上的一绝缘保护层以及位于所述绝缘保护层下方的一分布式布拉格反射层。

10.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述围墙自所述下阶面与所述下梯面共同凹设形成有连通于所述容置槽的至少一个凹口，并且至少一个所述凹口构成能够连通所述容置槽与一外部空间的一气流通道。