[发明专利]光源装置

说明书

本发明公开一种光源装置，包括：基板、上电极层、围墙、发光单元、黏着胶、及透光件。上电极层设置于所述基板；围墙由液晶高分子所制成且设置于基板；围墙呈环形阶梯状且包含有远离基板的上阶面、相连于上阶面内缘的上梯面、位于上梯面内侧的下阶面、位于下阶面与上梯面之间的收容沟、及相连于下阶面内缘且远离上阶面的下梯面。下阶面与基板的距离小于上阶面与基板的距离，并且下梯面与基板包围形成有容置槽。发光单元安装于上电极层、并位于容置槽内。黏着胶位于收容沟内。透光件设置于下阶面、并与上梯面呈间隔设置，透光件通过黏着胶而固定于围墙。据此，所述光源装置通过采用不同于TO‑CAN封装的构造，以符合现今各式不同要求。

技术领域

本发明涉及一种光源装置，尤其涉及一种采用新型态封装结构的光源装置。

背景技术

现有光源装置多采用TO-CAN(Transistor Outline-CAN晶体管外形罐)封装，于近年来并未有大幅的结构改良，因而逐渐难以符合各式不同要求。于是，本发明人认为上述缺陷可改善，特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。

发明内容

本发明实施例在于提供一种光源装置，其能有效地改善现有光源装置所可能产生的缺陷。

本发明实施例公开一种光源装置，所述光源装置包括：一基板，包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；一上电极层，设置于所述基板的所述第一板面；一围墙，由液晶高分子所制成且设置于所述第一板面；所述围墙呈环形阶梯状且包含有：一上阶面，远离所述基板；一上梯面，相连于所述上阶面的内缘；一下阶面，位于所述上梯面的内侧，并且所述下阶面与所述第一板面的一距离小于所述上阶面与所述第一板面的一距离；至少一个收容沟，位于所述下阶面与所述上梯面之间；及一下梯面，相连于所述下阶面内缘且远离所述上阶面；其中，所述下梯面与所述第一板面包围形成有一容置槽；一发光单元，安装于所述上电极层、并位于所述容置槽内；一黏着胶，位于至少一个所述收容沟内；以及一透光件，设置于所述下阶面、并与所述上梯面呈间隔设置；其中，所述透光件通过所述黏着胶而固定于所述围墙。

优选地，至少一个所述收容沟的内壁面形成有包含极性基团的一活性分子层，并且所述黏着胶通过作用于所述极性基团而与所述活性分子层接着。

优选地，所述活性分子层包含有酯基(O＝C-OR)、羧基(-COOH)及羟基(-OH)的至少其中之一，所述黏着胶包含有与所述活性分子层相互键结的环氧基团及羟基的至少其中一种。

优选地，所述活性分子层为至少一个所述收容沟的所述内壁面通过一紫外光处理或紫外光臭氧(UVO)处理而形成。

优选地，所述紫外光处理或所述紫外光臭氧处理采用波长180-365nm的紫外光，且所述紫外光的照射能量要大于所述液晶高分子的碳碳键(C-C)、碳氢键(C-H)及苯环中的碳碳键(π-π*)的至少其中一种。

优选地，所述围墙包含的至少一个所述收容沟的数量为两个,所述黏着胶位于两个所述收容沟内；所述围墙包含有连接于所述上梯面与所述下阶面的两个倾斜面，并且两个所述倾斜面是分别相连于所述下阶面的相反两侧，每个所述倾斜面的一侧与所述下阶面相连形成有超过90度的一夹角，并且每个所述倾斜面的另一侧与所述上梯面共同构成夹角小于90度的一个收容沟。

优选地，所述光源装置进一步包括有：一固晶胶层，黏接于所述发光单元与所述上电极层之间，并且所述固晶胶层形成有自其外表面向内延伸的至少一个孔隙；及一保护层，附着于所述固晶胶层的所述外表面、并向内延伸入至少一个所述孔隙，以使所述保护层充填于至少一个所述孔隙的局部或全部。

优选地，所述保护层是耐高温有机物、无机物、或无机/有机杂化材料。

优选地，所述发光单元是一垂直腔面发射激光器或红外灯。

优选地，所述垂直腔面发射激光器包含涂布于其表面上的一绝缘保护层以及位于所述绝缘保护层下方的一分布式布拉格反射层。