[发明专利]用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统

权利要求书

1.一种用于半导体器件的泄漏分析的方法，包括：

检测半导体器件中的第一单元和第二单元之间的边界，其中，所述第一单元和所述第二单元在所述边界周围彼此邻接；

识别与所述第一单元和所述第二单元的单元边缘相关联的属性；

基于与所述第一单元和所述第二单元的所述单元边缘相关联的所述属性来识别单元邻接情况；以及

基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算所述第一单元和所述第二单元之间的边界泄漏。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一单元和所述第二单元之间的所述边界包括P沟道边界部分和N沟道边界部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述单元邻接情况包括与所述P沟道边界部分对应的第一填充物深度、与所述N沟道边界部分对应的第二填充物深度、与所述P沟道边界部分对应的所述边界旁边的所述单元边缘的第一邻接类型以及与所述N沟道边界部分对应的所述边界旁边的所述单元边缘的第二邻接类型。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一邻接类型或所述第二邻接类型选自源极-源极邻接、漏极-漏极邻接、源极-漏极邻接、源极-填充物邻接、漏极-填充物邻接、源极-填充物中断邻接和漏极-填充物中断邻接的组合。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率由所述单元邻接情况的所述第一邻接类型和所述第二邻接类型确定。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述边界泄漏与所述P沟道边界部分上的第一泄漏电流和所述N沟道边界部分上的第二泄漏电流的总和相关联。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，检测所述第一单元与所述第二单元之间的所述边界的检测包括:

检测所述边界，其中，用于隔离所述第一单元与所述第二单元的边界栅极在所述边界处实现并且电耦合至系统电压。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在第一晶体管泄漏查找表中搜索所述单元邻接情况的第一可能的泄漏电流值，其中，在以第一电压阈值实现所述边界处的边界栅极的条件下，所述第一晶体管泄漏查找表与所述单元邻接情况的泄漏电流值相关；以及

在第二晶体管泄漏查找表中搜索所述单元邻接情况的第二可能的泄漏电流值，其中，在以第二电压阈值实现所述边界处的所述边界栅极的条件下，所述第二晶体管泄漏查找表与所述单元邻接情况的泄漏电流值相关，其中，所述第二电压阈值比所述第一电压阈值高。

9.一种用于半导体器件的泄漏分析的系统，包括：

库，包含与不同单元邻接情况的泄漏电流值相关的至少一个泄漏查询表；

处理器，配置为执行分析以检测半导体器件中的邻接单元之间的边界，识别与所述邻接单元的单元边缘相关联的属性，基于与所述单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况，基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率计算所述邻接单元之间的边界泄漏；以及

输出接口，配置为输出所述半导体器件中的所述边界泄漏。

10.一种用于半导体器件的泄漏分析的方法，包括：

计算半导体器件的预期边界泄漏；以及

基于至少所述预期边界泄漏来调整所述半导体器件的布局；

其中，计算所述半导体器件的所述预期边界泄漏包括：

检测所述半导体器件的所述布局的邻接单元之间的边界；

识别与所述邻接单元的单元边缘相关联的属性；

基于与所述单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况；和

基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算所述邻接单元之间的所述预期边界泄漏。