[发明专利]用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统

说明书

方法用于计算半导体器件中的边界泄漏。检测第一单元和第二单元之间的边界，该第一单元和第二单元在该边界周围彼此邻接。识别与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性。基于与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况。基于与单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算第一单元和第二单元之间的预期边界泄漏。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统。

技术领域

本发明的实施例涉及用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统。

背景技术

当要制造半导体器件时，放置不同的单元和布线。然而，随着半导体器件的技术的不断发展，工艺窗口急剧缩小。由于工艺限制规则变得更加严格，半导体器件的制造变得越来越具有挑战性。半导体器件可以包括以预定图案布置的几个晶体管单元。例如，在FET(场效应晶体管)器件的情况下，可以在衬底上制造几个源极/漏极对，并且可以在源极/漏极对上方形成相应的栅电极。在操作中，相邻的单元可能在单元的边缘处经受泄漏电流。结果，相邻的单元可以分隔开以减小半导体器件内的泄漏的总体效果。然而，分隔开的相邻的单元导致半导体器件的设计面积的增加。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于半导体器件的泄漏分析的方法，包括：检测半导体器件中的第一单元和第二单元之间的边界，其中，所述第一单元和所述第二单元在所述边界周围彼此邻接；识别与所述第一单元和所述第二单元的单元边缘相关联的属性；基于与所述第一单元和所述第二单元的所述单元边缘相关联的所述属性来识别单元邻接情况；以及基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算所述第一单元和所述第二单元之间的边界泄漏。

本发明的另一实施例提供了一种用于半导体器件的泄漏分析的系统，包括：库，包含与不同单元邻接情况的泄漏电流值相关的至少一个泄漏查询表；处理器，配置为执行分析以检测半导体器件中的邻接单元之间的边界，识别与所述邻接单元的单元边缘相关联的属性，基于与所述单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况，基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率计算所述邻接单元之间的边界泄漏；以及输出接口，配置为输出所述半导体器件中的所述边界泄漏。

本发明的又一实施例提供了一种用于半导体器件的泄漏分析的方法，包括：计算半导体器件的预期边界泄漏；以及基于至少所述预期边界泄漏来调整所述半导体器件的布局；其中，计算所述半导体器件的所述预期边界泄漏包括：检测所述半导体器件的所述布局的邻接单元之间的边界；识别与所述邻接单元的单元边缘相关联的属性；基于与所述单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况；和基于与所述单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与所述单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算所述邻接单元之间的所述预期边界泄漏。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的各个实施例的半导体器件的示例性布局图。

图2是示出根据一些实施例的用于计算单元邻接泄漏的方法的流程图。

图3A和图3B示出了根据一个或多个实施例的一个单元的单元边缘的示例。

图4A和图4B示出了根据一个或多个实施例的与邻接单元之间的边界对应的单元邻接情况的示例。

图5是根据本发明的各个实施例的图1中的半导体器件的单元邻接情况的示例性情况。

图6是根据本发明的一些实施例的示出图2中的一个操作内的进一步操作的流程图。

图7A是根据本发明的各个实施例的晶体管泄漏查找表的示例性情况。