[发明专利]一种富硒花脸香蘑菌丝培养基及制备方法

权利要求书

1.一种富硒花脸香蘑菌丝培养基，其特征在于，包含以下重量份的原料：葡萄糖15-25份、牛肉膏1-5份以及亚硒酸钠25-35份，补充水至1L。

2.如权利要求1所述的富硒花脸香蘑菌丝培养基，其特征在于，包含以下重量份的原料：葡萄糖20份、牛肉膏2份、亚硒酸钠30份，补充水至1L。

3.如权利要求2所述的富硒花脸香蘑菌丝培养基,其特征在于,还包括以下组分：磷酸氢二钾0.5-0.6份、硫酸镁0.01-0.03份、硫酸锌0.01-0.03份、碳酸钙0.1-0.3份以及活性炭0.1-0.3份。

4.一种如权利要求3所述的富硒花脸香蘑菌丝培养基的制备方法，其特征在于，按照富硒花脸香蘑菌丝培养基的组分用量，将葡萄糖、牛肉膏、亚硒酸钠溶于水中，充分搅拌均匀，然后加入磷酸氢二钾、硫酸镁、硫酸锌，制成均匀的混合液，在121℃条件下，高温灭菌20-30min；

所述碳酸钙和所述活性炭按用量称量后，分别于121℃条件下，高温灭菌20-30min；

接种前，将灭菌的混合液中依次加入已灭菌的碳酸钙和活性炭，摇晃均匀后，再用于接种。

5.一种如权利要求1-3任一项所述的培养基培养富硒花脸香蘑的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：制备花脸香蘑的种子液；

步骤2：将所述种子液接种于所述培养基中，温度保持在19-31℃，湿度控制在80-90％，黑暗培养3-18天，获取富硒花脸香菇菌丝。

6.如权利要求5所述的培养基培养富硒花脸香蘑的方法，其特征在于，步骤1中，将活化后的花脸香蘑菌种按5个菌块/100mL，接种于PDA培养基中，于20℃震荡培养7天。

7.如权利要求6所述的培养基培养富硒花脸香蘑的方法，其特征在于，菌块直径5mm；震荡条件：120-180rpm。

8.如权利要求5所述的培养基培养富硒花脸香蘑的方法，其特征在于，步骤2中，种子液按体积比3-5％接种于所述培养基中。

9.如权利要求5所述的培养基培养富硒花脸香蘑的方法，其特征在于，种子液接种于培养基中后，最佳培养温度为25℃，最佳培养时间为12天。