[发明专利]集成电路、存储器和存储器阵列

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

存储器单元，具有第一阱掺杂配置，所述第一阱掺杂配置包括设置在衬底中的第一阱区、第二阱区和第三阱区，其中，所述第二阱区设置在所述第一阱区和所述第三阱区之间，并且其中，所述第一阱区和所述第三阱区掺杂有第一类型掺杂剂，并且所述第二阱区掺杂有第二类型掺杂剂；以及

阱条单元，邻近所述存储器单元设置，其中：

所述阱条单元具有第一阱条区、第二阱条区和第三阱条区，所述第二阱条区设置在所述第一阱条区和所述第三阱条区之间，

所述第一阱条区和所述第三阱条区具有所述第一阱掺杂配置，

所述第二阱条区具有第二掺杂配置，所述第二掺杂配置包括掺杂有所述第一类型掺杂剂的第四阱区，并且

所述阱条单元包括接触所述第四阱区的第一阱拾取区和接触所述第二阱区的第二阱拾取区。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一阱区、所述第三阱区和所述第四阱区组合以在掺杂有所述第一类型掺杂剂的所述阱条单元中形成I形阱区。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一类型掺杂剂是p型掺杂剂，并且所述第二类型掺杂剂是n型掺杂剂。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一阱区、所述第二阱区、所述第三阱区和所述第四阱区沿着垂直于栅极长度方向的方向延伸。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第四阱区的宽度等于所述阱条单元的宽度。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二阱拾取区仅在所述第一阱条区或所述第三阱条区中设置在所述第二阱区中。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一阱拾取区连接至第一电压，并且所述第二阱拾取区连接至与所述第一电压不同的第二电压。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述阱条单元包括配置为伪鳍式场效应晶体管(FinFET)的鳍、栅极结构和外延源极/漏极部件。

9.一种存储器，包括：

阱条单元，设置在第一存储器单元和第二存储器单元之间，其中，所述阱条单元包括：

p阱、第一n阱和第二n阱，设置在衬底中，其中，所述p阱、所述第一n阱和所述第二n阱配置在所述阱条单元中，使得所述阱条单元的中间部分沿着栅极长度方向没有所述第一n阱和所述第二n阱，

p阱拾取区，设置在所述p阱上；以及

n阱拾取区，设置在所述第一n阱、所述第二n阱或所述第一n阱与所述第二n阱两者上。

10.根据权利要求9所述的存储器，其中，所述p阱沿着所述栅极长度方向具有I形的顶视图。

11.根据权利要求9所述的存储器，其中：

所述阱条单元的所述中间部分设置在所述阱条单元的第一边缘部分和所述阱条单元的第二边缘部分之间，其中，所述中间部分包括所述p阱的第一子区；

所述第一边缘部分包括沿着所述栅极长度方向设置在所述p阱的第二子区和所述p阱的第三子区之间的所述第一n阱，其中，所述p阱的所述第二子区和所述p阱的所述第三子区接触所述p阱的所述第一子区；并且

所述第二边缘部分包括第二n阱，所述第二n阱沿着所述栅极长度方向设置在所述p阱的第四子区和所述p阱的第五子区之间，其中，所述p阱的所述第四子区和所述p阱的所述第五子区接触所述p阱的所述第一子区。

12.根据权利要求11所述的存储器，其中，所述中间部分对应于p型阱条，所述第一边缘部分对应于第一n型阱条，并且所述第二边缘部分对应于第二n型阱条，其中，所述p型阱条设置在所述第一n型阱条和所述第二n型阱条之间。