[发明专利]晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010006272.8 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111048452A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 周永平;宋冬门 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 方法 | ||
1.一种晶边刻蚀设备，其特征在于，包括：
基台(10)，具有上表面，用于放置晶圆；
湿法刻蚀组件(20)，位于所述基台(10)的一侧，所述湿法刻蚀组件(20)具有至少一个第一喷口，用于向晶圆边缘喷射腐蚀液以进行刻蚀；
阻挡部件，设置于所述湿法刻蚀组件(20)的一侧，用于阻挡所述腐蚀液向所述晶圆表面溅射。
2.根据权利要求2所述的晶边刻蚀设备，其特征在于，所述阻挡部件为喷气部件(30)，所述喷气部件(30)具有至少一个第二喷口，所述第二喷口用于向所述晶圆喷射气体形成惰性气体氛围以阻挡所述腐蚀液向所述晶圆表面溅射。
3.根据权利要求2所述的晶边刻蚀设备，其特征在于，所述气体包括氮气和/或惰性气体。
4.根据权利要求2所述的晶边刻蚀设备，其特征在于，所述第一喷口的喷射方向和所述第二喷口的喷射方向相对于所述上表面的角度可调节。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶边刻蚀设备，其特征在于，所述湿法刻蚀组件(20)包括：
第一喷头(210)，具有所述第一喷口；
驱动部件(220)，与所述第一喷头(210)连接，用于驱动所述第一喷头(210)在平行于和/或垂直于所述上表面的方向移动。
6.根据权利要求5所述的晶边刻蚀设备，其特征在于，所述阻挡部件与所述驱动部件(220)连接，所述驱动部件(220)还用于驱动所述阻挡部件在平行于和/或垂直于所述上表面的方向移动。
7.根据权利要求2所述的晶边刻蚀设备，其特征在于，所述第一喷口与所述第二喷口的高度、位置以及相对距离均可调节。
8.根据权利要求5所述的晶边刻蚀设备，其特征在于，所述湿法刻蚀组件(20)还包括第一调节阀，所述第一调节阀设置于所述第一喷头(210)中，用于调节所述第一喷口的喷射量与喷射速度。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的晶边刻蚀设备，其特征在于，所述第一喷口的喷射方向相对于所述上表面的角度、高度均可调节。
10.一种晶边刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
将晶圆放置在基台(10)的上表面；
向所述晶圆边缘喷射腐蚀液以对所述晶圆边缘进行刻蚀，同时阻挡所述腐蚀液向所述晶圆表面溅射。
11.根据权利要求10所述的晶边刻蚀方法，对所述晶圆表面喷射气体形成惰性气体氛围以阻挡所述腐蚀液向所述晶圆表面溅射。
12.根据权利要求11所述的晶边刻蚀方法，所述气体包括氮气和/或惰性气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
