[发明专利]晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法

说明书

本发明提供了一种晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法。该晶边刻蚀设备包括基台、湿法刻蚀组件和阻挡部件，基台具有上表面，用于放置晶圆；湿法刻蚀组件位于基台的一侧，湿法刻蚀组件具有至少一个第一喷口，用于向晶圆边缘喷射腐蚀液以进行刻蚀；阻挡部件设置于湿法刻蚀组件的一侧，用于阻挡腐蚀液向晶圆表面溅射。采用上述晶边刻蚀设备对晶圆边缘进行刻蚀，在HF酸等腐蚀液喷射至晶圆边缘的同时，能够通过上述阻挡部件阻挡腐蚀液溅射到晶圆表面，从而有效地防止了腐蚀液溅射导致的晶圆表面缺陷的产生。

技术领域

本发明涉及刻蚀技术领域，具体而言，涉及一种晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，通常需要采用不同材料在晶圆表面沉积膜层。在经过多道的沉积、掩膜等制程后，在晶圆的边缘区域(简称晶边，wafer bevel)会产生缺陷源，因此，需要对晶圆边缘进行处理以去除缺陷，即进行晶边刻蚀。

现有技术中通常采用HF酸等腐蚀液对晶圆边缘进行湿法刻蚀，然而，在上述晶边刻蚀工艺中腐蚀液不仅会喷射到晶圆边缘，还会溅射到晶圆表面，导致对晶圆表面进行腐蚀，进而导致“黑色环线(black ring line)”等缺陷的产生，如图1至图4所示，拼接了现有技术中晶边刻蚀后晶圆表面的八个不同区域的显微图，图中黑线即为现有技术中HF酸溅射到晶圆表面八个不同区域所产生的缺陷。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法，以解决现有技术中晶边刻蚀工艺中腐蚀液溅射导致晶圆表面被腐蚀的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种晶边刻蚀设备，包括：基台，具有上表面，用于放置晶圆；湿法刻蚀组件，位于基台的一侧，湿法刻蚀组件具有至少一个第一喷口，用于向晶圆边缘喷射腐蚀液以进行刻蚀；阻挡部件，设置于湿法刻蚀组件的一侧，用于阻挡腐蚀液向晶圆表面溅射。

进一步地，阻挡部件为喷气部件，喷气部件具有至少一个第二喷口，第二喷口用于向晶圆喷射气体形成惰性气体氛围以阻挡腐蚀液向晶圆表面溅射。

进一步地，气体包括氮气和/或惰性气体。

进一步地，第一喷口的喷射方向和第二喷口的喷射方向相对于上表面的角度可调节。

进一步地，湿法刻蚀组件包括：第一喷头，具有第一喷口；驱动部件，与第一喷头连接，用于驱动第一喷头在平行于和/或垂直于上表面的方向移动。

进一步地，阻挡部件与驱动部件连接，驱动部件还用于驱动阻挡部件在平行于和/或垂直于上表面的方向移动。

进一步地，第一喷口与第二喷口的高度、位置以及相对距离均可调节。

进一步地，湿法刻蚀组件还包括第一调节阀，第一调节阀设置于第一喷头中，用于调节第一喷口的喷射量与喷射速度。

进一步地，第一喷口的喷射方向相对于上表面的角度、高度均可调节。

根据本发明的另一方面，提供了一种晶边刻蚀方法，包括以下步骤：将晶圆放置在基台的上表面；向晶圆边缘喷射腐蚀液以对晶圆边缘进行刻蚀，同时阻挡腐蚀液向晶圆表面溅射。

进一步地，对晶圆表面喷射气体形成惰性气体氛围以阻挡腐蚀液向晶圆表面溅射。

进一步地，气体包括氮气和/或惰性气体。

应用本发明的技术方案，提供了一种晶边刻蚀设备，包括湿法刻蚀组件，湿法刻蚀组件通过第一喷口向晶圆边缘喷射腐蚀液以进行刻蚀，该晶边刻蚀设备在现有设备的基础上增加了一个阻挡部件，该喷气部件具有第二喷口，用于阻挡所述腐蚀液向所述晶圆表面溅射。采用上述晶边刻蚀设备对晶圆边缘进行刻蚀，在HF酸等腐蚀液喷射至晶圆边缘的同时，能够通过上述阻挡部件阻挡腐蚀液溅射到晶圆表面，从而有效地防止了腐蚀液溅射导致的晶圆表面缺陷的产生。

附图说明