[发明专利]背侧金属图案化管芯分割系统和相关方法在审
申请号: | 202010007972.9 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN111490010A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | M·J·塞登 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张丹 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 图案 管芯 分割 系统 相关 方法 | ||
1.一种将包括在衬底中的多个管芯分割的方法,所述方法包括:
在衬底的第一侧上形成多个管芯;
在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成种子层;
使用阴影掩模,在所述种子层上方施加掩模层;
在所述种子层上方形成背侧金属层;
移除所述掩模层;以及
通过移除管芯道中的衬底材料并且通过移除所述管芯道中的种子层材料来分割包括在所述衬底中的所述多个管芯。
2.根据权利要求1所述的方法,其中移除所述管芯道中的衬底材料还包括等离子蚀刻。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括将所述衬底的所述第二侧减薄至小于30微米的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括从所述衬底的背侧对准所述衬底。
5.一种将包括在衬底中的多个管芯分割的方法,所述方法包括:
在衬底的第一侧上形成多个管芯;
在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成种子层;
使用阴影掩模,在所述种子层上方施加掩模层;
移除所述阴影掩模;
在所述种子层上方形成背侧金属层;
移除所述掩模层;
通过使用激光束或锯片中的一者移除所述管芯道中的衬底材料并移除所述管芯道中的种子层材料来分割包括在所述衬底中的所述多个管芯。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括将所述衬底的所述第二侧减薄至小于30微米的厚度。
7.根据权利要求5所述的方法,还包括从所述衬底的背侧对准所述衬底。
8.一种将包括在衬底中的多个管芯分割的方法,所述方法包括:
在衬底的第一侧上形成多个管芯;
在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成种子层;
使用对应于所述衬底的管芯道的阴影掩模,在所述衬底的所述管芯道上方形成掩模层;
在所述掩模层之间的所述种子层上方形成背侧金属层;
将所述掩模层从所述管芯道移除;
通过使用激光束或锯片中的一者移除所述管芯道中的衬底材料并移除所述管芯道中的种子层材料来分割包括在所述衬底中的所述多个管芯。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述背侧金属层为10微米厚。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述掩模层包含树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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