[发明专利]背侧金属图案化管芯分割系统和相关方法

说明书

本发明题为“背侧金属图案化管芯分割系统和相关方法”。本发明提供了管芯分割系统和相关方法的实施方式，该实施方式可包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯，在与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成种子层，使用阴影掩模，在种子层上方施加掩模层，在种子层上方形成背侧金属层，移除掩模层，以及通过移除管芯道中的衬底材料并通过移除管芯道中的种子层材料来分割包括在衬底中的多个管芯。

相关专利申请的交叉引用

本申请要求授予Seddon的名称为“背侧金属图案化管芯分割系统及相关方法(BACKSIDE METAL PATTERNING DIE SINGULATION SYSTEMS AND RELATED METHODS)”的美国临时专利申请62/796,668的提交日期的权益，该申请提交于2019年1月25日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

背景技术

1.技术领域

本文档的各方面整体涉及管芯分割系统和方法。更具体的实施方式涉及从减薄衬底分割半导体管芯的方法。

2.背景技术

半导体器件包括存在于常用电气和电子设备(诸如电话、台式计算机、平板电脑、其他计算设备和其他电子设备)中的集成电路。通过将半导体材料的晶圆分割成多个半导体管芯来分离器件。各种层可被耦接到晶圆的前侧和/或背侧。在分割时，管芯可安装在封装件上并与封装件电集成，然后可将该封装件用于电气或电子设备中。

发明内容

管芯分割系统和相关方法的实施方式可包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯，在与该衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成种子层，使用阴影掩模，在种子层上施加掩模层，在种子层上形成背侧金属层，移除掩模层，以及通过移除管芯道中的衬底材料并通过移除管芯道中的种子层材料来分割包括在衬底中的多个管芯。

管芯分割系统和相关方法的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者：

掩模层可包含聚合物材料。

掩模层可包含光致抗蚀剂材料。

种子层可包含钛。

背侧金属层可包含铜。

移除管芯道中的衬底材料可包括等离子蚀刻。

移除管芯道中的衬底材料并移除管芯道中的种子层材料可包括使用激光束或锯片。

该方法可包括将衬底的第二侧减薄至小于30微米的厚度。

该方法可包括从衬底的背侧对准衬底。

管芯分割系统和相关方法的实施方式可包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯，在与该衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成种子层，使用阴影掩模，在种子层上施加掩模层，移除阴影掩模，在种子层上形成背侧金属层，移除掩模层，以及通过使用激光束或锯片移除管芯道中的衬底材料并通过移除管芯道中的种子层材料来分割包括在衬底中的多个管芯。

管芯分割系统和相关方法的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者：

掩模层可包含树脂材料。

掩模层可包含光致抗蚀剂材料。

该方法可包括远程等离子修复管芯道的侧壁。

该方法可包括将衬底的第二侧减薄至小于30微米的厚度。

该方法可包括从衬底的背侧对准衬底。