[发明专利]微发光二极管转移头在审
申请号: | 202010008613.5 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN111415894A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 安范模;朴胜浩;边圣铉 | 申请(专利权)人: | 普因特工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 汪丽红 |
地址: | 韩国忠清南道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 转移 | ||
1.一种微发光二极管转移头,其特征在于,包括头部,所述头部具备上下贯通而形成的多个贯通孔,其中在所述贯通孔中具备热变形物质,且在所述热变形物质的表面吸附微发光二极管。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头,其特征在于,所述头部的支撑部包括至少一个以上的阳极氧化膜薄片。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头,其特征在于,所述热变形物质由所述热变形物质的周边的所述头部的支撑部支撑。
4.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头,其特征在于,在所述头部的上部具备温度调节元件。
5.根据权利要求4所述的微发光二极管转移头,其特征在于,所述温度调节元件为流体,其中通过调节所述流体的温度而使所述热变形物质膨胀,从而在膨胀的所述热变形物质的表面吸附所述微发光二极管,且通过调节所述流体的温度而使所述热变形物质收缩,从而所述微发光二极管从收缩的所述热变形物质的表面解吸。
6.根据权利要求4所述的微发光二极管转移头,其特征在于,所述温度调节元件为导热性膜,其中所述热变形物质在因所述导热性膜而膨胀的情况下吸附微发光二极管,且所述热变形物质在因所述导热性膜而收缩的情况下解吸所述微发光二极管。
7.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头,其特征在于,所述热变形物质为聚二甲基硅氧烷。
8.一种微发光二极管转移头,其特征在于,包括:
头部,具备上下贯通且在内部具备压力变形物质的多个贯通孔;以及
加压部件,设置到所述头部的上部,形成有突出部,其中所述突出部形成到与所述贯通孔对应的位置,从而所述压力变形物质通过所述加压部件而变形。
9.一种微发光二极管转移头,其特征在于,包括:
头部,具备上下贯通且在内部具备压力变形物质的多个贯通孔;以及
腔室,设置到所述头部的上部,可调节压力,其中在所述腔室的压力调节成高压状态的情况下,所述压力变形物质膨胀而在膨胀的所述压力变形物质的表面吸附微发光二极管,且在所述腔室的压力调节成低压状态的情况下,所述压力变形物质收缩而所述微发光二极管从收缩的所述压力变形物质的表面解吸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造