[发明专利]微发光二极管转移头在审
申请号: | 202010008613.5 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN111415894A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 安范模;朴胜浩;边圣铉 | 申请(专利权)人: | 普因特工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 汪丽红 |
地址: | 韩国忠清南道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 转移 | ||
本发明涉及一种将微发光二极管从第一基板移送到第二基板的微发光二极管转移头,尤其,涉及一种使吸附部位与吸附部位周边的材料不同而吸附并移送微发光二极管的微发光二极管转移头。
技术领域
本发明涉及一种将微发光二极管(Light Emitting Diode,LED)从第一基板移送到第二基板的微发光二极管转移头。
背景技术
目前,显示器市场仍以液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)为主流,但有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)正快速地替代LCD而逐渐成为主流。最近,在显示器企业参与OLED市场成为热潮的情况下,微(Micro)发光二极管显示器也逐渐成为下一代显示器。微发光二极管是指从利用于结晶生长的晶片切割的状态,而并非由成形的树脂等覆盖的封装体类型。LCD与OLED的核心原材料分别为液晶(LiquidCrystal)、有机材料,与此相反,微发光二极管显示器是将1微米至100微米(μm)单位的发光二极管芯片本身用作发光材料的显示器。
随着科锐(Cree)公司在1999年申请有关“提高光输出的微-发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现“微发光二极管”一词以来,陆续发表相关研究论文,并且进行研究开发。作为为了将微发光二极管应用在显示器而需解决的问题,需开发一种基于挠性(Flexible)原材料/元件制造微发光二极管元件的定制型微芯片,需要一种微米尺寸的发光二极管芯片的转移(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。
尤其,关于将微发光二极管元件移送到显示基板的转移(transfer),因发光二极管尺寸变小至1微米至100微米(μm)单位而无法使用以往的取放(pickplace)设备,需要一种以更高精确度进行移送的转移头技术。关于这种转移头技术,揭示有如下所述的几种构造。
美国的勒克斯维(Luxvue)公司揭示了一种利用静电头(electrostatic head)转移微发光二极管的方法(韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号,以下称为“现有发明1”)。现有发明1的转移原理为对由硅材料制成的头部分施加电压,由此通过静电现象与微发光二极管产生密接力。所述方法在静电感应时会因施加在头部的电压产生因静电现象引起的微发光二极管损伤的问题。
美国的艾克斯瑟乐普林特(X-Celeprint)公司揭示了一种应用具有弹性的聚合物物质作为转移头而将晶片上的微发光二极管移送到所期望的基板的方法(韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号,以下称为“现有发明2”)。与静电头方式相比,所述方法无微发光二极管损伤的问题,但存在如下缺点:在转移过程中,只有弹性转移头的接着力大于目标基板的接着力才可稳定地移送微发光二极管,需另外进行用以形成电极的工艺。另外,持续地保持弹性聚合物物质的接着力也为非常重要的要素。
韩国光技术院揭示了一种利用纤毛接着构造头转移微发光二极管的方法(韩国注册专利公报注册编号第1754528号,以下称为“现有发明3”)。然而,现有发明3存在难以制作纤毛的接着构造的缺点。
韩国机械研究院揭示了一种在辊上涂覆接着剂来转移微发光二极管的方法(韩国注册专利公报注册编号第1757404号,以下称为“现有发明4”)。然而,现有发明4存在如下缺点:需持续使用接着剂,在对辊进行加压时,微发光二极管也会受损。
三星显示器揭示了一种在阵列基板浸入在溶液的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压而通过静电感应现象将微发光二极管转移到阵列基板的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0026959号,以下称为“现有发明5”)。然而,现有发明5存在如下缺点:在将微发光二极管浸入到溶液而转移到阵列基板的方面而言,需要另外的溶液,此后需要干燥工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造