[发明专利]三维半导体存储器装置及操作其的方法

权利要求书

1.一种三维半导体存储器装置，包括多个字线块，所述多个字线块包括并联连接在位线与共源极线之间的多个单元串，

其中，所述多个单元串中的每个包括：多个存储器单元晶体管，沿垂直方向堆叠在基底上；多个地选择晶体管，串联连接在所述多个存储器单元晶体管与基底之间；以及串选择晶体管，位于所述多个存储器单元晶体管与位线之间，

其中，在所述多个字线块中的每个中，所述多个单元串的串选择晶体管彼此电隔离，并且所述多个地选择晶体管中的位于相同水平的地选择晶体管被共同地控制，并且

其中，在所述多个单元串中的每个中，所述多个地选择晶体管中的至少一个地选择晶体管具有第一阈值电压，并且所述多个地选择晶体管中的其余的地选择晶体管具有与第一阈值电压不同的第二阈值电压。

2.如权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述多个地选择晶体管中的位于相同水平的地选择晶体管中的第一地选择晶体管和第二地选择晶体管分别具有第一阈值电压和第二阈值电压。

3.如权利要求1所述的三维半导体存储器装置，

其中，在所述多个字线块中的每个中，所述多个单元串包括n个单元串，

其中，所述多个单元串中的每个包括m个地选择晶体管，

其中，m等于或小于n，并且

其中，m和n均是大于0的自然数。

4.如权利要求1所述的三维半导体存储器装置，

其中，在所述多个字线块中的每个中，所述多个单元串包括六个单元串，并且

其中，所述多个单元串中的每个包括彼此串联连接的第一地选择晶体管、第二地选择晶体管和第三地选择晶体管。

5.根据权利要求4所述的三维半导体存储器装置，其中，所述多个单元串包括第一单元串、第二单元串和第三单元串，在第一单元串中，第一地选择晶体管具有第一阈值电压，在第二单元串中，第二地选择晶体管具有第一阈值电压，在第三单元串中，第三地选择晶体管具有第一阈值电压。

6.如权利要求5所述的三维半导体存储器装置，其中，第一单元串、第二单元串和第三单元串的第一地选择晶体管、第二地选择晶体管和第三地选择晶体管分别连接到第一地选择线、第二地选择线和第三地选择线。

7.如权利要求5所述的三维半导体存储器装置，其中，第一单元串、第二单元串和第三单元串的第一地选择晶体管、第二地选择晶体管和第三地选择晶体管位于距基底的不同的各自的水平。

8.一种三维半导体存储器装置，包括：

基底；

第一单元串和第二单元串，共同连接到位线，第一单元串和第二单元串中的每个包括：

多个存储器单元晶体管，沿垂直方向堆叠在基底上；

第一地选择晶体管和第二地选择晶体管，串联连接在所述多个存储器单元晶体管与基底之间；以及

串选择晶体管，位于所述多个存储器单元晶体管与位线之间；

第一串选择线，连接到第一单元串的串选择晶体管；

第二串选择线，连接到第二单元串的串选择晶体管；

第一地选择线，被第一单元串和第二单元串的第一地选择晶体管共同连接；以及

第二地选择线，被第一单元串和第二单元串的第二地选择晶体管共同连接，

其中，在第一单元串和第二单元串中的每个中，第一地选择晶体管和第二地选择晶体管具有彼此不同的各自的阈值电压。

9.如权利要求8所述的三维半导体存储器装置，

其中，第一单元串的第一地选择晶体管的阈值电压与第二单元串的第一地选择晶体管的阈值电压不同，并且

其中，第一单元串的第二地选择晶体管的阈值电压与第二单元串的第二地选择晶体管的阈值电压不同。

10.如权利要求8所述的三维半导体存储器装置，其中，在第一单元串和第二单元串中，所述多个存储器单元晶体管中的位于距基底的相同水平的存储器单元晶体管共同地连接到一条字线。