[发明专利]一种激光器模组及其制备方法

说明书

本发明提供一种激光器模组及其制备方法，激光器模组包括：基板，包括多个电接触部；多个激光器芯片，位于所述基板上；散热器，贴合于所述基板的至少一侧。本发明解决了传统模组结构复杂、体积过大，连接电路中电感过大导致电路的响应时间过长的问题，并通过结构改进，满足不同结构、功率的VCSEL芯片一体化集成以满足不同场景应用要求。

技术领域

本发明涉及激光器制造领域，特别是涉及一种激光器模组及其制备方法。

背景技术

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)是以砷化镓半导体材料为基础研制，有别于LED(发光二极管)和LD(Laser Diode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。

VCSEL从诞生起就作为新一代光存储和光通信应用的核心器件，为互联网的需求和光学存储密度的不断提高提供了一条新途径。在光纤通信方面，目前VCSEL市场空前发展，并已经在北美替代高价位的LD用于千兆、万兆以太数据通信网的建设，导致了高速VCSEL收发模块需求爆炸性地增长。VCSEL在其他方面也有不错的应用前景。采用数千个VCSEL构成的阵列形式的多光束将可能成为取代多边镜扫描的最好方式。相比过去的单个激光管，VCSEL的阵列集成结构可以同时进行多行的扫描。随着VCSEL的研究深入以及应用需求的拓展，VCSEL不仅在手机、消费性电子等领域发挥越来越重要的作用，VCSEL还可以用来进行人脸识别、3D感测、手势侦测和VR(虚拟现实)/AR(增强现实)/MR(混合现实)等。

目前适合于飞行时间法(Time Of Flight，TOF)的模组一般通过在陶瓷基板上封装单颗VCSEL芯片实现，由于TOF应用时加载电流大，易造成短时芯片热量累积，导致器件性能恶化，另外，单颗芯片不利于连续快速扫描，同时也无法满足不同距离条件，选择性采用不同功率的器件以实现系统高效率应用的要求。若采用传统的M*N颗芯片的独立可寻址阵列，则需要M*N路电路引出，这将会造成整个模组体积显著上升，同时，过长的内部走线，也会极大增加电路中的电感，同时增加电路的响应时间，严重影响系统应用。因此，如何实现高功率下TOF可寻址VCSEL阵列设计，一直是该领域亟待解决的技术难题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种垂直腔面发射激光器模组及其制备方法，用于解决现有技术中激光器模组体积大、内部走线过长导致电路中的电感过大、电路响应时间过长及无法实现系统功率选择性应用等问题。。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种垂直腔面发射激光器模组，所述激光器模组至少包括：

基板，包括多个电接触部；

多个激光器芯片，位于所述基板上，并排列成一阵列，其中第一方向上的多个所述激光器芯片电气连接于至少一所述电接触部，第二方向上的多个所述激光器芯片电气连接于至少一所述电接触部；

散热器，贴合于所述基板的至少一侧。

可选地，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

可选地，所述第一方向上的激光器芯片不少于一行。

可选地，所述第二方向上的激光器芯片不少于一列。

可选地，所述第一方向上的激光器芯片之间通过并联导线连接至各行激光器芯片对应的所述电接触部。

优选地，所述导线可为金线。

可选地，所述多个激光器芯片被配置为矩阵可寻址结构。

优选地，所述激光器芯片为垂直腔面发射激光器芯片。

可选地，所述激光器芯片电连接于所述基板；