[发明专利]一种基准电路芯片温度系数的测试方法在审
| 申请号： | 202010010397.8 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111190452A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王红义;王竞成;惠静妮;黄碧云;刘沛;张国和 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 孟大帅 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电路 芯片 温度 系数 测试 方法 | ||
1.一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，
所述基准电路芯片设置有保护二极管；
所述测试方法包括以下步骤：
步骤1，将所述保护二极管反偏设置，使得所述基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；
步骤2，将所述保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热所述基准电路芯片至预设温度；将所述保护二极管反偏设置，使得所述基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；
其中，所述预设温度的取值范围为27℃～85℃。
2.根据权利要求1所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，步骤2中，所述保护二极管的结温小于等于150℃。
3.根据权利要求1所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，步骤2中，所述保护二极管发热功率P的计算表达式为：
P＝VI，
式中，V为保护二极管两端压降，I为导通电流。
4.根据权利要求1所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，所述保护二极管的PN结具有负温度特性，温度每升高1摄氏度，正向压降降低3mV。
5.根据权利要求1所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，步骤2中，所述基准电路芯片的温度计算表达式为：
T＝PR+T0，
式中，R为基准电路芯片的热阻，T0为基准电路芯片的初始温度，P为二极管发热功率。
6.根据权利要求1所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，步骤2中，将所述保护二极管正偏设置保持1s～2s。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，所述反偏设置为二极管正极电压小于负极电压；所述正偏设置为二极管正极电压高于负极。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，其特征在于，所述反偏设置为基准电路芯片的正电源端接保护二极管正极，基准电路芯片的地端或负电源端接保护二极管负极；
所述正偏设置为基准电路芯片的正电源端接保护二极管负极，基准电路芯片的地端或负电源端接保护二极管正极。
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