[发明专利]一种基准电路芯片温度系数的测试方法

说明书

本发明公开了一种基准电路芯片温度系数的测试方法，包括以下步骤：步骤1，将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；步骤2，将保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热基准电路芯片至预设温度；将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；其中，预设温度的取值范围为27℃～85℃。本发明测试方法简单，对测试仪器要求较低，测试结果可靠性高。

技术领域

本发明属于集成电路测试技术领域，特别涉及一种基准电路芯片温度系数的测试方法。

背景技术

基准电路被广泛的应用在各种模拟芯片里面，例如模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)中，同样也应用在电压和电流稳压器(LDO)中，是最基本的模块之一，芯片工作的温度往往不是恒定的，随着温度的变化，基准电压往往也会改变，从而会影响整体电路的性能，。因此，获得一个不随温度变化的基准源对很多电路的设计至关重要。温度系数成为基准设计的一个重要指标，常用T_C表示，其公式为：其中ΔT代表基准源工作的温度范围，V_max是该范围内基准最大电压，V_min是该范围内基准最小电压，V_ref表示该温度范围内基准源的平均电压。基准温度系数常用单位为ppm/℃。

基准源的输出在制造的过程中会受到工艺偏差等因素的影响，导致基准源温度系数的恶化，出现温度系数太高或太低，不满足工作需求的情况。为了获得一款高精度的基准源，通常需要设计修调电路对基准芯片进行测试、修调。一种常用的测试方式是在常温下对基准输出进行修调。由前人的推导可知：硅的带隙电压E_g/q，迁移率的温度指数m，和热电势VT都可以看为常数，所以同一温度下，如果同一批次的两个基准源输出电压相同，理论上这两个基准源具有相同温度系数。利用这种原理，如果常温下某一电压值V1对应着最好的温度系数，那么只需要在常温下将输出修调到V1就能获得好的温度系数。，这是一种简单的测试方法，但是也容易出现问题，因为电路如果存在其它受温度影响的器件，可能会导致基准电压温度特性发生变化，；另外一种常用的方法就是在基准源工作的温度范围内测试输出电压曲线，然后调整trim方案对基准输出进行修调，但是这种方法需要使用仪器对每一颗芯片升温几十甚至上百摄氏度，升温时间太长，成本大，不适合量产。

综上，亟需一种新的基准电路温度系数的测试方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基准电路芯片温度系数的测试方法，以解决上述存在的一个或多个技术问题。本发明测试方法简单，对测试仪器要求较低，测试结果可靠性高。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明的一种基准电路芯片温度系数的测试方法，所述基准电路芯片设置有保护二极管；

所述测试方法包括以下步骤：

步骤1，将所述保护二极管反偏设置，使得所述基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；

步骤2，将所述保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热所述基准电路芯片至预设温度；将所述保护二极管反偏设置，使得所述基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；

其中，所述预设温度的取值范围为27℃～85℃。

本发明的进一步改进在于，步骤2中，所述保护二极管的结温小于等于150℃。

本发明的进一步改进在于，所述保护二极管发热功率P的计算表达式为：

P＝VI，

式中，V为保护二极管两端压降，I为导通电流。