[发明专利]一种沉积设备及其沉积方法

说明书

本发明涉及显示屏加工技术领域，具体涉及一种沉积设备及其沉积方法，其包括：产品出入口，所述产品出入口用于供产品的进出；溅射沉积室，所述溅射沉积室用于对产品进行溅射沉积；气相沉积室，所述气相沉积室用于对产品进行气相沉积；真空搬运腔，所述真空搬运腔分别于所述溅射沉积室、气相沉积室和产品出入口相连通，所述真空搬运腔中具有真空环境并设有用于将产品在溅射沉积室、气相沉积室和真空大气转换腔之间进行搬运的搬运工具；本发明在溅射沉积室和气相沉积室之间的搬运时间较短，满足连续加工的需求，且其搬运环境为真空环境，有效地避免了产品与空气等介质的接触，有效地保证了产品的性能。

技术领域

本发明涉及显示屏加工技术领域，具体涉及一种沉积设备以及一种应用于该沉积设备的沉积方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro LED)，即发光二极管微缩化和矩阵化技术,由于其具有高亮度、低功耗、长寿命的优点,近年来其越来越多地被应用于显示器上；并被广泛地应用于智慧穿戴、车载、TV、公众显示墙等领域,而TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)作为Micro LED显示器背板的重要器件，其驱动性能是显示器中的重要参数。

IGZO TFT因其具有良好的场效应迁移率、大尺寸均匀性及设备工艺相对简单而具有广阔前景。当TFT工作时，其有源层IGZO(indium gallium zincoxide，铟镓锌氧化物)与GI层的界面处由多数载流子积累形成导电前沟道，因此，前沟道电流大小与有源层IGZO和GI层的界面状态密切相关。

在现有的IGZO TFT中，有源层IGZO为金属氧化物半导体，其沉积方式为磁控溅射沉积，而GI层为非金属绝缘层，其沉积方式为化学气相沉积，因此，在目前的IGZO TFT制作工艺中，会先由PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)设备沉积GI层，再搬送至磁控溅射沉积设备沉积IGZO层，因非连续沉积造成界面缺陷态密度较大，且PECVD设备和磁控溅射沉积设备是两种不同的工序设备，因此彼此是分开布局，搬运时间较长，搬送过程中GI面与空气等介质接触，易导致界面污染和正电荷聚集，进而导致TFT器件性能下降。

发明内容

为克服上述缺陷，本发明的目的即在于提供一种能连续进行气相沉积和溅射沉积的TFT基板沉积设备以及其沉积方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明是一种沉积设备，包括：

产品出入口，所述产品出入口用于供产品的进出；

溅射沉积室，所述溅射沉积室用于对产品进行溅射沉积；

气相沉积室，所述气相沉积室用于对产品进行气相沉积；

真空搬运腔，所述真空搬运腔分别于所述溅射沉积室、气相沉积室和产品出入口相连通，所述真空搬运腔中具有真空环境并设有用于将产品在溅射沉积室、气相沉积室和真空大气转换腔之间进行搬运的搬运工具。

在本发明中，所述产品出入口中设有真空大气转换腔，所述真空大气转换腔用于腔内的真空环境进行转换。

在本发明中，所述溅射沉积室和所述气相沉积室的数量均为一个以上。

在本发明中，所述溅射沉积室的数量小于所述气相沉积室的数量。

在本发明中，所述真空大气转换腔、溅射沉积室和气相沉积室均匀分布设置于所述真空搬运腔的外侧。

在本发明中，所述搬运工具为机械手臂。

在本发明中，所述真空大气转换腔的外侧设有外侧搬运工具。

本发明是一种应用于如上所述沉积设备的沉积方法，其包括：

将产品从产品出入口搬运至气相沉积室中；