[发明专利]检测装置及检测方法

说明书

本申请公开了一种检测装置及检测方法，包括第一光学系统和第二光学系统，所述第一光学系统用于对待测物进行第一检测，得到所述待测物表面的待检出对象分布信息；所述第二光学系统用于根据所述待检出对象分布信息对所述待测物进行第二检测，得到待检出对象细节信息，所述第二光学系统的检测精度高于所述第一光学系统的检测精度。采用本申请的检测装置可提升检测的准确性。

技术领域

本申请涉及光学技术领域，尤其涉及一种检测装置及检测方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片。晶圆作为芯片的基底，如果晶圆上存在缺陷，将导致其制备而成的芯片失效，从而导致芯片的良率降低，制造成本增高，在芯片制备前以及芯片制备过程中均需对晶圆进行缺陷检测，因此晶圆缺陷检测装置是很有必要的。

发明内容

本申请实施例提供一种检测装置及检测方法，用于提升检测的准确性。

第一方面，本申请提供一种检测装置，包括第一光学系统和第二光学系统，所述第一光学系统用于对待测物进行第一检测，得到所述待测物表明的待检出对象分布信息；所述第二光学系统用于根据所述待检出对象分布信息对所述待测物进行第二检测，得到待检出对象细节信息，所述第二光学系统的检测精度高于所述第一光学系统的检测精度。

第二方面，本申请提供一种检测方法，应用于如第一方面所述的检测装置，所述方法包括：

通过第一光学系统对待测物进行第一检测，得到所述待测物表面的待检出对象分布信息；

通过第二光学系统根据所述待检出对象分布信息对所述待测物进行第二检测，得到待检出对象细节信息。

本申请实施例提供的检测装置，包括第一光学系统和第二光学系统，第一光学系统用于对待测物进行第一检测，得到待测物表面的待检出对象分布信息，第二光学系统用于根据待检出对象分布信息对待测物进行第二检测，得到待检出对象细节信息，第二光学系统的检测精度高于第一光学系统的检测精度，通过两个光学系统实现全面检测待测物，进而提升检测的准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例的检测装置的结构示意图；

图2为本申请另一个实施例的检测装置的结构示意图；

图3为本申请一个实施例的在图2最左边的第二暗场光源照射下探测器得到的图像信息的示意图；

图4为本申请一个实施例的在明场光源照射下探测器得到的图像信息的示意图；

图5为本申请一个实施例的在第一暗场光源照射下探测器得到的图像信息的示意图；

图6为本申请另一个实施例的检测装置的结构示意图；

图7为本申请另一个实施例的检测装置的结构示意图；

图8为本申请一个实施例的载物台的结构示意图；

图9为本申请另一个实施例的检测装置的结构示意图；

图10为本申请另一个实施例的检测装置的结构示意图；

图11为本申请一个实施例的检测方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明，应对理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。