[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，具有一显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，其特征在于，所述阵列基板包括：

一衬底基板；

栅极驱动电路，所述栅极驱动电路设置于所述衬底基板上且位于所述非显示区内；

一平坦化层，所述平坦化层设置于所述栅极驱动电路上；其中，

在所述非显示区内，所述平坦化层在所述栅极驱动电路远离所述显示区的一侧上设置至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦化层，并且，所述凹槽靠近所述衬底基板一端的截面宽度大于所述凹槽远离所述衬底基板一端的截面宽度；

所述阵列基板还包括一薄膜封装层，所述薄膜封装层设置于像素定义层上并覆盖所述像素定义层，并且所述薄膜封装层包括一无机层，所述凹槽容纳所述无机层，所述无机层在所述凹槽的开口处呈封闭状态；

所述无机层在背离所述衬底基板一侧表面对应所述凹槽的开口处形成凹陷，所述凹陷密封所述凹槽；

所述薄膜封装层还包括一有机层，所述有机层包括第一有机挡墙，所述第一有机挡墙覆盖所述凹陷以及所述无机层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，两相邻所述凹槽的间距范围为10μm至500μm，所述凹槽的深度范围为0.5μm至5μm，所述开口的宽度范围为0.5μm至3μm，以及所述凹槽与所述栅极驱动电路的最小间距范围为50μm至1000μm。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括一像素定义层，所述像素定义层设置于所述平坦化层上，所述凹槽在垂直于所述衬底基板方向上同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括层叠设置的衬底基板、栅极绝缘层、层间绝缘层，以及层间介电层，所述无机层通过所述凹槽与所述层间介电层接触。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底基板的步骤，所述衬底基板具有显示区和非显示区；

在所述衬底基板上一侧依次形成栅极驱动电路、平坦化层和像素定义层的步骤，所述栅极驱动电路位于所述非显示区；

在所述平坦化层和所述像素定义层上形成至少一个凹槽的步骤，其中，所述凹槽形成于所述栅极驱动电路远离所述显示区一侧的非显示区内，所述凹槽贯穿所述平坦化层和所述像素定义层，并且，所述凹槽靠近所述衬底基板一端的截面宽度大于所述凹槽远离所述衬底基板一端的截面宽度；

在所述像素定义层上形成覆盖所述凹槽的无机层的步骤，所述无机层容纳于所述凹槽内，所述无机层在所述凹槽的开口处呈封闭状态，以及所述无机层在对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷与所述凹槽封闭；

以及，在所述无机层上形成有机层的步骤，所述有机层的边缘容纳于至少一所述凹陷内。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述无机层上形成有机层的步骤，包括：

在所述无机层上位于两相邻所述凹槽之间形成第一有机挡墙的步骤，所述第一有机挡墙突出于所述无机层的高度范围为0.5μm至5μm；

以及在所述无机层上位于所述第一有机挡墙之间形成第二有机层的步骤。

7.如权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述无机层上形成有机层的步骤中，通过喷墨打印的方式形成所述有机层。