[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板。该阵列基板具有显示区和非显示区，该阵列基板包括衬底基板、栅极驱动电路、平坦化层、像素定义层以及薄膜封装层，在非显示区内的像素定义层和平坦化层上设置多个凹槽，凹槽贯穿像素定义层和平坦化层，凹槽靠近衬底基板一端的截面宽度大于凹槽远离衬底基板一端的截面宽度，凹槽容纳薄膜封装层的无机层，无机层在背离衬底基板一侧表面对应凹槽处形成凹陷。

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管器件(OLED)由于其可实现柔性显示的特性，被认为是新一代的显示技术，具有广阔的应用前景，但是OLED器件对水氧特别敏感，水氧渗入后，金属电极及有机发光材料极易老化，影响器件的使用寿命。为防止器件受到破坏，同时达到柔性显示的效果，现在一般采用的是薄膜封装的方法，即在金属电极及有机发光材料上采用无机/有机多层薄膜交替的方式进行封装，以此来达到阻隔水氧的目的，提高器件使用寿命。

薄膜封装中有机层流动性较好，为将其限制在特定区域内，通常会在有机层边界形成一圈或者多圈挡墙(Dam)。Samsung在US9419247上公开了一种如图1所示的挡墙设计，其中100为基板，E为有效显示区域，400为定义薄膜封装中有机层边界的两圈Dam，另外在US20120091477、US20120133275、US20170287995等专利中也有类似的记载。

在实际应用中，由于挡墙结构与平坦化层(PLN)和像素定义层(PDL)为同光罩制作而成，为有机物成分，在GOA(Gate driver On Array)(栅极驱动电路)走线的外围，将层间介电层(ILD)与薄膜封装层的无机层间隔开，缩短了水氧入侵的路径，使得阵列基板失效的风险加大，并且由于突起的Dam处的特殊形貌，使得薄膜封装膜层应力集中，由此造成了膜层剥离现象。

申请内容

本申请实施例提供一种阵列基板，在阵列基板的非显示区内，平坦化层和像素定义层在所述栅极驱动电路远离所述显示区的一侧上设置多个凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦化层及像素定义层，通过设置覆盖所述像素定义层且容纳于所述凹槽内的无机层，无机层在对应所述凹槽处形成凹陷，所述无机层在所述凹槽内与阵列基板的层间介电层直接搭接，延长了水汽入侵的路径，使得所述阵列基板的失效风险降低。通过在所述凹槽及所述凹陷内设置覆盖所述无机层的有机层，能够缓解所述凹槽内的所述无机层的应力，减少膜层间剥离现象，同时防止有机膜层的溢出，缩短所述有机层与所述无机层的接触时间，提高封装效率。

本申请实施例提供一种阵列基板，具有一显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述阵列基板包括：一衬底基板；栅极驱动电路，所述栅极驱动电路设置于所述衬底基板上且位于所述非显示区内；一平坦化层，所述平坦化层设置于所述栅极驱动电路上；其中，在所述非显示区内，所述平坦化层在所述栅极驱动电路远离所述显示区的一侧上设置至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦化层，并且，所述凹槽靠近所述衬底基板一端的截面宽度大于所述凹槽远离所述衬底基板一端的截面宽度。

在一些实施例中，两相邻所述凹槽的间距范围为10μm至500μm，所述凹槽的深度范围为0.5μm至5μm，所述开口的宽度范围为0.5μm至3μm，以及所述凹槽与所述栅极驱动电路的最小间距范围为50μm至1000μm。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括一像素定义层，所述像素定义层设置于所述平坦化层上，所述凹槽在垂直于所述衬底基板方向上同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括一薄膜封装层，所述薄膜封装层设置于所述像素定义层上并覆盖所述像素定义层，并且所述薄膜封装层包括一无机层，所述凹槽容纳所述无机层。

在一些实施例中，所述无机层在背离所述衬底基板一侧表面对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷密封所述凹槽。

在一些实施例中，所述无机层在背离所述衬底基板一侧表面对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷与所述凹槽相连通。