[发明专利]一种基于电容阵列的芯片参数检测方法及装置

权利要求书

1.一种基于电容阵列的芯片参数检测方法，其特征在于，所述电容阵列包括：M*N个电容，所述M和N不小于2；

所述芯片参数检测方法包括：

将待检测芯片置于所述电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，其中，所述上极板阵列由所述M*N个电容的上极板构成，所述下极板阵列由所述M*N个电容的下极板构成；

分别采集所述M*N个电容中各个电容的电容值，得到M*N大小的电容值矩阵，其中，所述电容值矩阵中第i行第j列的元素为所述M*N个电容中第i行第j列的电容的电容值，i∈[1，M]，j∈[1，N]；

基于所述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定所述待检测芯片的中心轴线，其中，所述目标元素为电容值大于电容阈值的元素；

基于所述中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出所述待检测芯片的偏移角度，其中，所述偏移角度为所述中心轴线相对于所述0度参考线的偏移角度。

2.根据权利要求1所述的芯片参数检测方法，其特征在于，所述基于所述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定所述待检测芯片的中心轴线包括：

基于所述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定所述待检测芯片的四个角点所在位置；

基于所述四个角点所在位置，确定所述待检测芯片的中心轴线。

3.根据权利要求2所述的芯片参数检测方法，其特征在于，所述基于所述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定所述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

以预设的矩阵窗口提取出所述电容值矩阵的全部子矩阵，将各个所述子矩阵分别与预设的角点算子矩阵进行乘积，得到哈达玛积矩阵，其中，所述角点算子矩阵与所述矩阵窗口具备相同的行数和列数；

基于各个所述哈达玛积矩阵和预设的角点矩阵特征信息，确定出左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；其中，所述角点矩阵特征信息包括：左上角矩阵特征信息、右上角矩阵特征信息、左下角矩阵特征信息和右下角矩阵特征信息，所述左上角子矩阵为与所述左上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，所述右上角子矩阵为与所述右上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，所述左下角子矩阵为与所述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；所述左下角子矩阵为与所述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；

分别将所述左上角子矩阵的左上角点所在位置、所述右上角子矩阵的右上角点所在位置、所述左下角子矩阵的左下角点所在位置和所述右下角子矩阵的右下角点所在位置确定为所述待检测芯片的四个角点所在位置。

4.根据权利要求2所述的芯片参数检测方法，其特征在于，所述基于所述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定所述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

对所述电容值矩阵中目标元素所在区域进行整体特征识别；

基于所述整体特征识别的结果，确定所述待检测芯片的四个角点所在位置。

5.根据权利要求1至4任一项所述的芯片参数检测方法，其特征在于，所述芯片参数检测方法还包括：

基于目标电容的极板面积、电容值和厚度关系参数，测算所述待检测芯片的厚度，其中，所述目标电容为一目标元素所对应的电容，所述极板面积为所述目标电容的上极板与下极板的正对面积。