[发明专利]一种基于电容阵列的芯片参数检测方法及装置

说明书

本申请公开了一种基于电容阵列的芯片参数检测方法及装置，涉及电子元器件检测领域。上述芯片参数检测方法及装置通过将待检测芯片置于电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，分别采集各个电容的电容值，得到电容值矩阵，基于电容值矩阵中目标元素所在位置，确定待检测芯片的中心轴线，基于中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出待检测芯片的偏移角度，从而有利于贴片机根据该偏移角度对待检测芯片进行针对性操作，避免了限制装置的使用，提升了芯片贴片作业的效率。

技术领域

本申请涉及电子元器件检测领域，尤其涉及一种基于电容阵列的芯片参数检测方法及装置。

背景技术

随着时代的发展，芯片贴片技术的发展越来越快，如何确保芯片贴片的精准性和高效性渐渐成为人们研究的重点。

现有的芯片贴片技术中，芯片在放置的过程中常常会产生一定角度的偏移，且贴片机对偏移的芯片进行识别、贴片的效果并不好，故会在贴片机对芯片进行操作前，采用限制装置对芯片的位置进行限制，即便如此，芯片仍会产生一定角度的偏移，且采用限制装置会降低芯片贴片作业的效率。

发明内容

本申请提供了一种基于电容阵列的芯片参数检测方法及装置，可有利于提高芯片贴片作业的效率。

为了实现上述技术效果，本申请第一方面提供了一种基于电容阵列的芯片参数检测方法，上述电容阵列包括：M*N个电容，上述M和N不小于2；

上述芯片参数检测方法包括：

将待检测芯片置于上述电容阵列的上极板阵列与下极板阵列之间，其中，上述上极板阵列由上述M*N个电容的上极板构成，上述下极板阵列由上述M*N个电容的下极板构成；

分别采集上述M*N个电容中各个电容的电容值，得到M*N大小的电容值矩阵，其中，上述电容值矩阵中第i行第j列的元素为上述M*N个电容中第i行第j列的电容的电容值，i∈[1，M]，j∈[1，N]；

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线，其中，上述目标元素为电容值大于电容阈值的元素；

基于上述中心轴线和预设的0度参考线，确定并输出上述待检测芯片的偏移角度，其中，上述偏移角度为上述中心轴线相对于上述0度参考线的偏移角度。

基于本申请第一方面，在第一种可能的实现方式中，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线包括：

基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置；

基于上述四个角点所在位置，确定上述待检测芯片的中心轴线。

基于本申请第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，上述基于上述电容值矩阵中目标元素所在位置，确定上述待检测芯片的四个角点所在位置具体为：

以预设的矩阵窗口提取出上述电容值矩阵的全部子矩阵，将各个上述子矩阵分别与预设的角点算子矩阵进行乘积，得到哈达玛积矩阵，其中，上述角点算子矩阵与上述矩阵窗口具备相同的行数和列数；

基于各个上述哈达玛积矩阵和预设的角点矩阵特征信息，确定出左上角子矩阵、右上角子矩阵、左下角子矩阵和右下角子矩阵；其中，上述角点矩阵特征信息包括：左上角矩阵特征信息、右上角矩阵特征信息、左下角矩阵特征信息和右下角矩阵特征信息，上述左上角子矩阵为与上述左上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述右上角子矩阵为与上述右上角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵，上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；上述左下角子矩阵为与上述左下角矩阵特征信息匹配的哈达玛积矩阵所对应的子矩阵；