[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板包括显示区和非显示区；

在所述基板上形成图案化的第一金属层；

在所述图案化的第一金属层上形成绝缘层；

在所述绝缘层位于所述非显示区的部分上形成图案化的第一半导体层，所述第一半导体层的材料为非晶硅或低温多晶硅；

在所述绝缘层位于所述显示区的部分上形成图案化的第二半导体层，所述第二半导体层的材料为金属氧化物或低温多晶硅；

在所述图案化的第一半导体层和所述图案化的第二半导体层上形成图案化的第二金属层；

其中，位于所述非显示区的所述图案化的第一金属层、所述绝缘层和所述图案化的第二金属层，以及所述图案化的第一半导体层形成GOA驱动电路；位于所述显示区的所述图案化的第一金属层、所述绝缘层和所述图案化的第二金属层，以及所述图案化的第二半导体层形成像素电路。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层的材料为非晶硅。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层的材料为金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层位于所述非显示区的部分上形成图案化的第一半导体层的步骤，包括：

采用气相沉积工艺在所述绝缘层位于所述非显示区的部分上形成第一半导体层；

对所述第一半导体层进行刻蚀处理，以形成图案化的所述第一半导体层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层位于所述显示区的部分上形成图案化的第二半导体层的步骤，包括：

采用气相沉积工艺在所述绝缘层位于所述显示区的部分上形成第二半导体层；

对所述第二半导体层进行刻蚀处理，以形成图案化的所述第二半导体层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成图案化的第一金属层的步骤，包括：

采用气相沉积工艺在所述基板上形成第一金属层；

对所述第一金属层进行刻蚀处理，以形成图案化的所述第一金属层，所述图案化的所述第一金属层包括栅极。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述图案化的第一半导体层和所述图案化的第二半导体层上形成图案化的第二金属层的步骤，包括：

采用气相沉积工艺在所述图案化的第一半导体层和所述图案化的第二半导体层上形成第二金属层；

对所述第二金属层进行刻蚀处理，以形成图案化的所述第二金属层，所述图案化的所述第二金属层包括源极和漏极。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述在所述图案化的第一半导体层和所述图案化的第二半导体层上形成图案化的第二金属层的步骤之后，还包括：

在所述图案化的所述第二金属层上形成保护层，所述保护层覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层。