[发明专利]长晶炉及晶体生长系统

说明书

本发明公开了一种长晶炉及晶体生长系统，所述长晶炉包括炉体(110)、盖体(120)以及驱动组件；所述炉体(110)具有能够容纳坩埚的腔室，所述炉体(110)的顶部开设有与所述腔室连通的通孔；所述盖体(120)设置在所述炉体(110)的顶部，所述盖体(120)与所述驱动组件连接，所述驱动组件能够驱动所述盖体(120)在关闭所述通孔的遮挡位置以及让开所述通孔的打开位置之间移动；其中，所述盖体(120)设置为：所述盖体(120)位于所述打开位置时能够允许所述坩埚竖直地通过所述通孔以使所述坩埚在所述腔室和外界之间移动。本发明的长晶炉能够方便地装取坩埚。

技术领域

本发明涉及晶体生长技术领域，具体地涉及一种长晶炉及晶体生长系统。

背景技术

碳化硅(SiC)晶体生长方法分为物理气相传输法(PVT)、高温化学气相沉淀法(HTCVD)、液相法(LPE)，目前商业化的SiC衬底制造商以PVT法为主。PVT法主要采用感应加热的原理，将高纯SiC粉料置于密闭的石墨坩埚中，后将密封的石墨坩埚放入石墨套筒，整体固定在坩埚辅助系统的托盘上侧，通过石墨坩埚系统送入真空腔中，以实现石墨坩埚的旋转和加热，而加热的均匀程度可直接影响到晶体生长的品质。为使坩埚受热均匀，对放置的石墨套筒及其坩埚辅助系统的配合公差有一定要求，以及其与真空腔室之间包括同轴度、垂直度在内的精度要求。

在现有技术中，采用下端盖装取石墨坩埚的方法时，需将石墨套筒和部分坩埚辅助系统从长晶炉的下部一并装取，这就需要有两名以上操作人员配合才能实现该过程。而频繁的装卸过程则会很大程度上影响坩埚辅助系统的配合精度，坩埚与真空腔体的同轴精度也会降低。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术存在的问题，提供一种长晶炉及晶体生长系统，该长晶炉能够方便地装取坩埚。

为了实现上述目的，本发明一方面提供一种长晶炉，所述长晶炉包括炉体、盖体以及驱动组件；所述炉体具有能够容纳坩埚的腔室，所述炉体的顶部开设有与所述腔室连通的通孔；所述盖体设置在所述炉体的顶部，所述盖体与所述驱动组件连接，所述驱动组件能够驱动所述盖体在关闭所述通孔的遮挡位置以及让开所述通孔的打开位置之间移动；其中，所述盖体设置为：所述盖体位于所述打开位置时能够允许所述坩埚竖直地通过所述通孔以使所述坩埚在所述腔室和外界之间移动。

可选的，所述遮挡位置与所述打开位置处于第一平面，所述第一平面与所述炉体的顶面相平行。

可选的，所述驱动组件包括能够在所述第一平面内摆动的摆杆，所述盖体与所述摆杆连接以能够在所述遮挡位置和所述打开位置之间移动。

可选的，所述驱动组件包括能够沿竖直方向移动的升降杆，所述升降杆与所述摆杆连接以带动所述摆杆沿竖直方向靠近或远离所述炉体的顶面。

可选的，所述通孔的边沿设置有定位钉，所述定位钉竖直设置并且向背离所述腔室的方向延伸；所述盖体上设置有定位孔，所述定位孔设置为能够与所述定位钉配合以将所述盖体限制在所述遮挡位置。

可选的，所述长晶炉包括沿竖直方向固定设置的导向柱，所述升降杆上开设有与所述导向柱相匹配的导向孔，所述升降杆能够通过所述导向柱与所述导向孔的配合沿所述导向柱的长度方向移动。

可选的，所述炉体的底部设有开口以及底盖，所述开口与所述腔室连通，所述底盖设置为能够打开或关闭所述开口以能够允许所述坩埚从所述开口进入所述腔室。

本发明第二方面提供一种晶体生长系统，所述晶体生长系统包括吊装装置以及上述的长晶炉；所述吊装装置设置为能够吊起所述坩埚并驱使所述坩埚在所述腔室和外界之间移动。