[发明专利]发光装置、光学装置、光测量装置以及图像形成装置在审

专利信息
申请号: 202010016735.9 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN111564463A 公开(公告)日: 2020-08-21
发明(设计)人: 近藤崇;大塚勤;皆见健史;逆井一宏 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;G01B11/24;G01S7/481;G01S17/10;G09G3/32
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 日本东京*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 装置 光学 测量 以及 图像 形成
【说明书】:

本发明提供发光装置、光学装置、光测量装置以及图像形成装置。本发明提供一种发光装置等,与加大发光元件的发光点的尺寸的情况相比,能够抑制发光特性受损而加大光输出。发光装置包括发光部,所述发光部是将分别具有多个发光元件的多个发光元件群排列而成,所述发光部是沿着所述排列而在所述多个发光元件群的每一个中,所述发光元件群中所含的多个发光元件并列而被依序设定为发光或非发光的状态。

技术领域

本发明涉及一种发光装置、光学装置、光测量装置以及图像形成装置。

背景技术

专利文献1中记载了一种发光元件阵列(array),其构成为,将能从外部通过光来控制阈值电压或阈值电流的多个发光元件呈一维、二维或三维排列,使从各发光元件产生的光的至少一部分入射至各发光元件附近的其他发光元件,并将从外部施加电压或电流的时钟线(clock line)连接于各发光元件。

专利文献2中记载了一种自扫描型发光装置,其构成pnpnpn六层半导体结构的发光元件,在两端的p型第一层与n型第六层、以及中央的p型第三层及n型第四层设置电极,使pn层负责发光二极管功能,使pnpn四层负责闸流管(thyristor)功能。

专利文献3中记载了一种自扫描型的光源头(head),其包括:基板;面发光型半导体激光器(laser),呈阵列状地配设在基板上;以及作为开关元件的闸流管,排列在基板上,使所述面发光型半导体激光器的发光选择性地开启/关闭。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1:日本专利特开平01-238962号公报

专利文献2:日本专利特开2001-308385号公报

专利文献3:日本专利特开2009-286048号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

此外,在使所排列的发光元件按照排列顺序设定为点亮状态或非点亮状态而发光的发光装置中,在来自发光装置的光输出不足的情况下,考虑加大发光元件的发光点的尺寸。然而,若加大发光元件的发光点的尺寸,则有可能导致发光的均匀性受损,或者在发光元件进行激光振荡时,因高次模的发生而造成发光轮廓(profile)变形,或者发光元件的发光特性受损例如扩展角变大等。

本发明提供一种发光装置、光学装置、光测量装置以及图像形成装置,与加大发光元件的发光点的尺寸的情况相比,能够抑制发光特性受损而加大光输出。

[解决问题的技术手段]

技术方案1所述的发明是一种发光装置,其包括发光部,所述发光部是将分别具有多个发光元件的多个发光元件群排列而成,所述发光部是沿着所述排列而在所述多个发光元件群的每一个中,所述发光元件群中所含的多个发光元件并列而被依序设定为发光或非发光的状态。

技术方案2所述的发明是根据技术方案1所述的发光装置,其中,所述发光元件群中所含的多个发光元件连接于设定元件,所述设定元件通过连接于所述发光元件且成为导通状态,从而将发光元件设定为能发光或者增加发光强度。

技术方案3所述的发明是根据技术方案2所述的发光装置,其中,所述设定元件是闸流管,所述闸流管包括阳极层、第一栅极层、第二栅极层及阴极层,与所述发光元件群中所含的多个发光元件连接的设定元件构成为,在所述多个发光元件间,至少所述第一栅极层及所述第二栅极层中的其中任一者连续。

技术方案4所述的发明是根据技术方案2所述的发光装置,包括:点亮信号线,对所述多个发光元件群共用地设置,通过供给至所述点亮信号线的点亮信号,使通过所述设定元件而设定为能发光或增加发光强度的发光元件群连续或间歇地发光或增加发光强度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士施乐株式会社,未经富士施乐株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010016735.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top