[发明专利]载体及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种载体，包含：支撑衬底；剥离层，设置在所述支撑衬底之上；第1密接层，设置在所述支撑衬底与所述剥离层之间；及保护层，设置在所述支撑衬底与所述第1密接层之间，且厚度大于所述剥离层的厚度、及所述第1密接层的厚度。

2.根据权利要求1所述的载体，其中所述保护层由金属或氧化物构成，该金属或氧化物含有选自由Al、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Ge、Rb、Y、Zr、Nb、Mo、Rh、Pd、Ag、Sn、Sm、Gd、Dy、Er、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Th及U所组成的群的至少一种元素。

3.根据权利要求1所述的载体，其中所述保护层是树脂层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的载体，还包含覆盖所述剥离层的表面的覆盖层，且所述保护层比所述覆盖层厚。

5.根据权利要求4所述的载体，其中所述覆盖层是金属层。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的载体，还包含设置在所述支撑衬底与所述保护层之间的第2密接层。

7.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：准备载体，该载体具有支撑衬底、设置在所述支撑衬底之上的剥离层、及设置在所述支撑衬底与所述剥离层之间的保护层；在所述剥离层上，形成具有半导体元件、及覆盖所述半导体元件的树脂材料的树脂板；在所述载体形成破断部，该破断部是将所述剥离层沿着厚度方向破断而形成，且到达所述保护层但未达所述支撑衬底；及以所述破断部为起点，将所述支撑衬底从所述树脂板剥离。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述载体具有设置在所述剥离层上的金属层，该制造方法还包含如下步骤：在所述剥离层上，形成包含将所述金属层图案化而形成的配线的配线层；且所述树脂板形成在所述配线层上。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包含如下步骤：在所述树脂板的通过将所述支撑衬底剥离而露出的面，形成配线层。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包含如下步骤：在所述树脂板的与支撑于所述载体的面相反的一面，形成配线层；且形成所述配线层后，将所述支撑衬底从所述树脂板剥离。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的半导体装置的制造方法，还包含如下步骤：在被从所述树脂板剥离的所述支撑衬底上，再形成所述保护层及所述剥离层，而再次准备所述载体；及在所述再形成的剥离层上再次形成所述树脂板。