[发明专利]用于相对于较少掺杂二氧化硅选择性移除较多掺杂二氧化硅的方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

提供具有第一含二氧化硅材料和第二含二氧化硅材料的组合件；所述第一含二氧化硅材料在其中具有比所述第二含二氧化硅材料更高浓度的掺杂剂；及

使用包括氢氟酸、第二酸和包括选自由酯、乙醚和其混合物组成的群组的一或多种有机物质的溶剂的混合物相对于所述第二含二氧化硅材料选择性地蚀刻所述第一含二氧化硅材料；所述第二酸具有小于约5的pKa。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二含二氧化硅材料彼此相邻，且包括其中所述第二含二氧化硅材料连结到所述第一含二氧化硅材料的突变界面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二含二氧化硅材料彼此相邻，且包括所述掺杂剂的浓度从所述第二含二氧化硅材料到所述第一含二氧化硅材料的梯度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二含二氧化硅材料彼此并不直接接触。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述混合物包含：

浓度在从约0.5vol％到约10vol％的范围内的所述氢氟酸；

浓度在从约40vol％到约99vol％的范围内的所述一或多种有机物质；及

浓度在从约0.5vol％到约50vol％的范围内的所述第二酸。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述混合物进一步包含不大于约10vol％的浓度的水。

7.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述第二酸的所述浓度在从约0.5vol％到约10vol％的范围内；及

所述一或多种有机物质的所述浓度在从约80vol％到约99vol％的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂包含硼、磷和砷中的一或多者。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一含二氧化硅材料内的所述掺杂剂的所述浓度在从约0.5wt％到约10wt％的范围内；且其中所述第二含二氧化硅材料内的所述掺杂剂的所述浓度在从约0wt％到约1wt％的范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂包含硼和磷。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一含二氧化硅材料内的所述掺杂剂的所述浓度在从约0.5wt％到约10wt％的范围内；且其中所述第二含二氧化硅材料内的所述掺杂剂的所述浓度在从约0wt％到约1wt％的范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二酸的所述pKa小于0。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二酸的所述pKa小于-2。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二酸包含一或多种含羧酸组合物。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二酸包含一或多种无机酸。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二酸包含醋酸、苯甲酸、甲酸、氯乙酸、二氯乙酸、草酸、氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸和三氯乙酸中的一或多者。