[发明专利]用于相对于较少掺杂二氧化硅选择性移除较多掺杂二氧化硅的方法

说明书

本申请案涉及用于相对于较少掺杂二氧化硅选择性移除较多掺杂二氧化硅的方法。一些实施例包含一种形成具有第一含二氧化硅材料和第二含二氧化硅材料的组合件的方法。所述第一含二氧化硅材料在其中具有比所述第二含二氧化硅材料更高浓度的掺杂剂。使用包含氢氟酸、第二酸和有机溶剂的混合物相对于所述第二含二氧化硅材料选择性地移除所述第一含二氧化硅材料。所述有机溶剂可包含至少一种酯及/或至少一种乙醚。所述第二酸可具有小于约5的pKa。

技术领域

本发明涉及用于相对于较少掺杂二氧化硅选择性移除较多掺杂二氧化硅的方法。

背景技术

电容器在前代集成电路制造中不断具有增大的高宽比。例如，动态随机存取存储器(DRAM)电容器可具有从1微米到3微米的高度和小于或等于约0.1微米的宽度。

常见类型的电容器是所谓的容器装置。此装置的存储电极经塑形为容器。电介质材料及另一电容器电极可形成于容器内及/或沿着容器的外边缘形成，此可形成具有高电容和小占用面积的电容器。

容器形状的存储节点变得越来越高且越来越窄(即，形成为更高的高宽比)以努力达成预期等级的电容，同时降低由个别电容器耗费的半导体面积的量。不幸的是，高高宽比容器状存储节点可在结构上较弱；且可面临从下层基底开始倾倒、扭转及/或断裂。

经开发以避免高高宽比容器倾倒的实例方法是所谓的晶格方法，如在例如美国专利第7,713,813号、第7,125,781号和第7,387,939号中描述；将所有所述美国专利指派给美光科技公司(Micron Technology,Inc)。在此方法中，提供晶格以固持容器状电极以防倾倒，同时使容器状电极的外表面保持暴露以用作电容器的电容表面。

高高宽比电容器可形成在高高宽比开口中。归因于例如沿着开口的底部逐渐变窄，可难以形成高高宽比开口。将期望发展适用于蚀刻高宽高比开口的新的方法，及使此类新的方法可应用到与制造高高宽比电容器相关联的技术。

发明内容

在本发明的一个方面中，提供一种方法。所述方法包括：提供具有第一含二氧化硅材料和第二含二氧化硅材料的组合件；所述第一含二氧化硅材料在其中具有比所述第二含二氧化硅材料更高浓度的掺杂剂；及使用包括氢氟酸、第二酸和包括选自由酯、乙醚和其混合物组成的群组的一或多种有机物质的溶剂的混合物相对于所述第二含二氧化硅材料选择性地蚀刻所述第一含二氧化硅材料；所述第二酸具有小于约5的pKa。

在本发明的另一方面中，提供一种形成集成组合件的方法。所述方法包括：提供包括在第二含二氧化硅材料下方的第一含二氧化硅材料的构造；所述第一含二氧化硅材料相较于所述第二含二氧化硅材料用磷、硼和砷中的一或多者更重掺杂；蚀刻到所述第一和第二含二氧化硅材料中以形成开口，所述开口具有沿着所述第一含二氧化硅材料的锥形侧壁；及使用相对于所述第二含二氧化硅材料对于所述第一含二氧化硅材料是选择性的蚀刻校直所述锥形侧壁；所述蚀刻使用包括氢氟酸、第二酸和有机溶剂的混合物；所述第二酸具有小于约5的pKa。