[发明专利]半导体装置及半导体电路

说明书

实施方式提供能够实现开关损耗的降低的半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：具有多个第1沟槽和多个第2沟槽的半导体层、第1沟槽中的第1栅极电极、第2沟槽中的第2栅极电极、第1栅极电极焊盘、第2栅极电极焊盘、将第1栅极电极焊盘与第1栅极电极连接的第1布线及将第2栅极电极焊盘与第2栅极电极连接的第2布线，半导体层具有第1连接沟槽，从多个第1沟槽选出的相邻的2个第1沟槽在各自的端部通过第1连接沟槽而连接，多个第2沟槽内的至少1个第2沟槽设置于相邻的2个第1沟槽间，至少1个第2沟槽中的第2栅极电极在相邻的2个第1沟槽间与第2布线电连接。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－171100号(申请日：2019年9月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体电路。

背景技术

作为电力用的半导体装置的一例，有绝缘栅双极性晶体管(IGBT：Insulated GateBipolar Transistor)。IGBT例如在集电极电极上设置p型的集电极区域、n型的漂移区域及p型的基极区域。并且，在贯通p型的基极区域并到达n型的漂移区域的沟槽内，中间夹着栅极绝缘膜而设置栅极电极。并且，在p型的基极区域表面的与沟槽邻接的区域，设置与发射极电极连接的n型的发射极区域。

在IGBT中，通过对栅极电极施加阈值电压以上的正电压，而在p型的基极区域形成沟道。并且，在从n型的发射极区域对n型的漂移区域注入电子的同时，从集电极区域对n型的漂移区域注入空穴。由此，在集电极电极与发射极电极间流通将电子和空穴作为载流子的电流。

为了降低IGBT的导通电阻，增大导通状态的n型的漂移区域的载流子浓度是有效的。另一方面，在IGBT关断时，n型的漂移区域的载流子的排出变慢，则关断时间变长，开关损耗增大。

作为谋求导通电阻的降低和开关损耗的降低的两立的方法，提出了双栅极驱动。双栅极驱动是通过使栅极的驱动系统为2个系统并改变2个栅极的驱动定时，从而缩短IGBT的开关时间，使开关损耗降低的技术。因此，能够谋求导通电阻的降低和开关损耗的降低的两立。

发明内容

本发明的实施方式提供能够实现开关损耗的降低的半导体装置及半导体电路。