[发明专利]一种实现eGaN HEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路有效

专利信息
申请号: 202010020445.1 申请日: 2020-01-09
公开(公告)号: CN111355361B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 汪文璐;秦海鸿;彭子和;修强;龚佳燕;刘奥;柏松 申请(专利权)人: 南京航空航天大学;中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H03K17/687
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 吴旭
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 实现 egan hemt 并联 动态 耦合 电感 栅极 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种实现eGaN HEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路,连接到eGaN HEMT功率电路,所述eGaN HEMT功率电路包括并联的第一功率管和第二功率管,其特征在于:所述耦合电感栅极驱动电路包括连接在正向供电电源与负向供电电源之间的电压图腾柱结构单元,与电压图腾柱结构单元连接的耦合电感驱动单元;所述耦合电感驱动单元包括第一驱动电阻、第一二极管、第二驱动电阻、第二二极管以及第一耦合电感和第二耦合电感,所述耦合电感驱动单元通过第一耦合电感副边连接到第二功率管的栅极,通过第二耦合电感副边连接到第一功率管的栅极;

所述电压图腾柱结构单元包括第一开关管和第二开关管,其中,第一开关管的漏极连接正向供电电源,第一开关管的源极连接第二开关管的漏极,第二开关管的源极连接负向供电电源;

所述耦合电感驱动单元中,第一驱动电阻的一端和第二二极管的阴极连接在第一开关管、第二开关管之间,第一驱动电阻的另一端连接第一二极管的阳极,第二二极管的阳极连接第二驱动电阻的一端,第二驱动电阻的另一端和第一二极管的阴极连接所述第一耦合电感和第二耦合电感的副边非同名端;第一耦合电感副边同名端与第二功率管的栅极相连,第二耦合电感副边同名端连接第一功率管的栅极,第一耦合电感原边同名端与第一功率管的源极相连,第一耦合电感原边非同名端接地;第二耦合电感原边同名端连接第二功率管的源极,第二耦合电感原边非同名端接地。

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