[发明专利]晶体硅太阳能电池片背电场结构在审
| 申请号： | 202010021158.2 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111162132A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 王亚平 | 申请（专利权）人： | 深圳市至上光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 周黎阳;徐勋夫 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区龙华办事处*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 电场 结构 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：包括有铝浆覆盖形成的铝背场和银浆铺设形成的背电极，该背电极包括有复数个彼此竖向间隔设置的主线段和连接于相邻主线段之间的连接段，该连接段宽度小于主线段宽度，且各连接段分别由铝背场覆盖隐藏，主线段端部及两侧分别与铝背场相连。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述主线段两侧分别向其外侧延伸设置有引脚，引脚与上述铝背场相连。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述连接段连接于相邻两主线段中间位置，于连接段两侧分别形成凹位。
4.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述引脚由铝背场覆盖隐藏。
5.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述引脚与主线段垂直相连。
6.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述主线段两侧分别间隔设置有两个引脚。
7.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述引脚宽度为0.2mm，引脚长度为0.9mm。
8.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述两个引脚之间距离为0.9mm。
9.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述连接段长度为1mm，宽度为0.7mm。
10.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片背电场结构，其特征在于：所述主线段宽度为2.4mm，长度为1.1mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
