[发明专利]目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法在审
申请号: | 202010023431.5 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN113109991A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 王健;张迎春 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/76;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 目标 版图 修正 方法 掩膜版 形成 | ||
1.一种目标版图的修正方法,其特征在于,包括:
提供初始目标版图,所述初始目标版图包括若干初始图形;
对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图,所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形,所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区;
在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形;
获取所述目标图形对应的修正区的修正规则;
通过所述修正规则对所述目标图形进行修正,获取修正图形。
2.如权利要求1所述的目标版图的修正方法,其特征在于,获取目标图形的方法包括:获取所述修正区内的每个所述模拟曝光图形相对于对应初始图形的边缘放置误差;获取所述目标图形,所述目标图形为所述修正区内边缘放置误差大于第一预设值时的所述模拟曝光图形。
3.如权利要求1所述的目标版图的修正方法,其特征在于,所述初始目标版图包括沿第一方向排列的若干待修正区。
4.如权利要求3所述的目标版图的修正方法,其特征在于,每一个待修正区具有对应的曝光模型;获取模拟曝光版图的方法包括:对每个待修正区采用对应的曝光模型进行模拟曝光,获得与每个待修正区对应的修正区;以所述修正区替代对应的待修正区,形成模拟曝光版图。
5.如权利要求1所述的目标版图的修正方法,其特征在于,每个修正区具有对应的修正规则;获取所述目标图形对应修正区的修正规则的方法包括:获取目标修正区,所述目标修正区为所述目标图形所在的修正区;获取所述目标修正区对应的修正规则。
6.如权利要求1所述的目标版图的修正方法,其特征在于,每个修正区对应的所述修正规则包括分割规则和偏移规则;所述分割规则包括将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的线段,且每段所述线段具有预设长度;所述偏移规则包括将各段所述线段以预设偏移量进行偏移。
7.如权利要求6所述的目标版图的修正方法,其特征在于,对所述目标图形进行修正的方法包括:将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的若干线段;在所述若干线段中获取待修正线段,所述修正线段为边缘放置误差大于第一预设值时的线段;将所述待修正线段偏移所述预设偏移量,获取修正线段;以修正线段替代对应的待修正线段,形成所述第二修正图形。
8.一种掩膜版版图的形成方法,其特征在于,包括:
提供目标版图;
采用目标版图的修正方法对所述目标版图进行光学临近修正,形成掩膜版版图,所述目标版图的修正方法包括:
提供初始目标版图,所述初始目标版图包括若干初始图形;
对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图,所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形,所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区;
在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形;
获取所述目标图形对应的修正区的修正规则;
通过所述修正规则对所述目标图形进行修正,获取修正图形。
9.如权利要求8所述的掩膜版版图的形成方法,其特征在于,获取目标图形的方法包括:获取所述修正区内的每个所述模拟曝光图形相对于对应初始图形的边缘放置误差;获取所述目标图形,所述目标图形为所述修正区内边缘放置误差大于第一预设值时的所述模拟曝光图形。
10.如权利要求8所述的掩膜版版图的形成方法,其特征在于,所述初始目标版图包括沿第一方向排列的若干待修正区。
11.如权利要求10所述的掩膜版版图的形成方法,其特征在于,每一个待修正区具有对应的曝光模型;获取模拟曝光版图的方法包括:对每个待修正区采用对应的曝光模型进行模拟曝光,获得与每个待修正区对应的修正区;以所述修正区替代对应的待修正区,形成模拟曝光版图。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备