[发明专利]目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法

说明书

一种目标版图的修正方法、掩膜版版图的形成方法及其掩膜版，修正方法包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。所述修正方法得到的掩膜版版图修正效果较好，精度较高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光或反光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图形，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的光刻图形对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。

在先进光刻工艺中，可以使用极紫外(EUV)光作为光源。然而，采用极紫外光作为光源的光刻工艺制造的掩膜版，还存在许多的问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法，使得掩膜版的精度提升。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种目标版图的修正方法，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。

可选的，获取目标图形的方法包括：获取所述修正区内的每个所述模拟曝光图形相对于对应初始图形的边缘放置误差；获取所述目标图形，所述目标图形为所述修正区内边缘放置误差大于第一预设值时的所述模拟曝光图形。

可选的，所述初始目标版图包括沿第一方向排列的若干待修正区。

可选的，每一个待修正区具有对应的曝光模型；获取模拟曝光版图的方法包括：对每个待修正区采用对应的曝光模型进行模拟曝光，获得与每个待修正区对应的修正区；以所述修正区替代对应的待修正区，形成模拟曝光版图。

可选的，每个修正区具有对应的修正规则；获取所述目标图形对应修正区的修正规则的方法包括：获取目标修正区，所述目标修正区为所述目标图形所在的修正区；获取所述目标修正区对应的修正规则。

可选的，每个修正区对应的所述修正规则包括分割规则和偏移规则；所述分割规则包括将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的线段，且每段所述线段具有预设长度；所述偏移规则包括将各段所述线段以预设偏移量进行偏移。

可选的，对所述目标图形进行修正的方法包括：将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的若干线段；在所述若干线段中获取待修正线段，所述修正线段为边缘放置误差大于第一预设值时的线段；将所述待修正线段偏移所述预设偏移量，获取修正线段；以修正线段替代对应的待修正线段，形成所述第二修正图形。