[发明专利]存储电路及其读取方法和恢复方法

权利要求书

1.一种存储电路，其特征在于，包括：

易失性存储单元，所述易失性存储单元能够存储“0”数据和“1”数据，所述易失性存储单元包括彼此作为互补节点的第一节点和第二节点；

与所述第一节点耦接的第一位线；

与所述第二节点耦接的第二位线；

自旋轨道动量矩磁存储器，所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述自旋霍尔效应层具有相对的第一面和第二面，所述第一磁性隧道结位于所述第一面上，所述第二磁性隧道结位于所述第二面上，所述自旋霍尔效应层还包括第一端和第二端；

与所述第二端耦接的源线；

开关组件，所述开关组件使所述第一端分别耦合于所述第一节点与所述第二节点，并且所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第一节点耦接，使所述第二磁性隧道结与所述第二节点耦接。

2.如权利要求1所述的存储电路，其特征在于，所述第一磁性隧道结包括位于所述第一面上的第一自由层，位于所述第一自由层上的第一隧道栅层，以及位于所述第一隧道栅层上的第一固定层。

3.如权利要求1所述的存储电路，其特征在于，所述第二磁性隧道结包括位于所述第二面上的第二自由层，位于所述第二自由层上的第二隧道栅层，以及位于所述第二隧道栅层上的第二固定层。

4.如权利要求1所述的存储电路，其特征在于，还包括：第二字线；所述开关组件包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的源极与第四晶体管的漏极均耦接所述第一端，所述第三晶体管的源极耦接所述第一节点，所述第四晶体管的源极耦接所述第二节点，所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极均耦接所述第二字线。

5.如权利要求1至4中任一所述的存储电路，其特征在于，还包括：第三字线；所述开关组件还包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的漏极与所述第一磁性隧道结耦接，所述第五晶体管的源极与所述第一节点耦接，所述第六晶体管的漏极与所述第二磁性隧道结耦接，所述第六晶体管的源极与所述第二节点耦接，所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极均耦接第三字线。

6.如权利要求1所述的存储电路，其特征在于，所述易失性存储单元还包括双稳电路，所述双稳电路包括第一反相电路和第二反相电路，所述第一反相电路的输入端与第二节点耦接，所述第一反相电路的输出端与第一节点耦接，所述第二反相电路的输入端与第一节点耦接，所述第二反相电路的输出端与第二节点耦接。

7.如权利要求6所述的存储电路，其特征在于，所述第一反相电路包括第七晶体管和第八晶体管，所述第七晶体管的源极与电源耦接，所述第八晶体管的源极接地，所述第七晶体管的漏极和所述第八晶体管的漏极共同耦接所述第一节点，所述第七晶体管的栅极和所述第八晶体管的栅极共同耦接所述第二节点；所述第二反相电路包括第九晶体管和第十晶体管，所述第九晶体管的源极与电源耦接，所述第十晶体管的的源极接地，所述第九晶体管的漏极和所述第十晶体管的漏极共同耦接所述第二节点，所述第九晶体管的栅极和所述第十晶体管的栅极共同耦接所述第一节点。

8.如权利要求6所述的存储电路，其特征在于，还包括：第一字线；所述易失性存储单元还包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极均耦接所述第一字线，所述第一晶体管的源极与所述第一位线耦接，所述第一晶体管的漏极与所述第一节点耦接，所述第二晶体管的源极与所述第二位线耦接，所述第二晶体管的漏极与所述第二节点耦接。

9.如权利要求1所述的存储电路，其特征在于，所述自旋霍尔效应层的材料包括重金属材料。

10.如权利要求2所述的存储电路，其特征在于，所述第一自由层的材料包括CoFeB，所述第一隧道栅层的材料包括MgO，所述第一固定层的材料包括CoFeB。