[发明专利]存储电路及其读取方法和恢复方法

说明书

一种存储电路及基于所述存储电路的存储方法和恢复方法，所述存储电路包括：易失性存储单元，所述易失性存储单元包括第一节点和第二节点；自旋轨道动量矩磁存储器，所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述自旋霍尔效应层包括第一端和第二端；开关组件，所述开关组件使所述第一端分别耦合于所述第一节点与所述第二节点，并且所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第一节点耦接，使所述第二磁性隧道结与所述第二节点耦接。所述存储电路能够减少存储器的成本并且提高存储器的性能。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种非易失性存储电路及其存储方法和读取方法。

背景技术

存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、非移动计算设备和数据服务器。存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。

非易失性存储器包括磁性存储器(MRAM)等，与易失性存储器相比，非易失性存储器未连接到电源时也允许存储和保留信息。

易失性存储器包括静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)、闪存(Flash)等，与非易失性存储器存储器相比，易失性存储器具有读写速度快、工作电压低的特点。然而，当易失性存储器未连接到电源时，将失去存储的数据，即使重新连接电源也不可能恢复数据。

通常，为了使存储器在连接电源时，具有易失性存储器读写速度快、工作电压低的特点，同时在未连接电源时，也允许存储和保留信息，会将易失性存储器和非易失性存储器共同使用。

然而，现有的存储器电路较为复杂、器件较多，导致存储器的成本高并且性能差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种存储电路及其存储方法和恢复方法，以减少存储器的成本并且提高存储器的性能。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种存储电路，包括：易失性存储单元，所述易失性存储单元能够存储“0”数据和“1”数据，所述易失性存储单元包括彼此作为互补节点的第一节点和第二节点；与所述第一节点耦接的第一位线；与所述第二节点耦接的第二位线；自旋轨道动量矩磁存储器，所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述自旋霍尔效应层具有相对的第一面和第二面，所述第一磁性隧道结位于所述第一面上，所述第二磁性隧道结位于所述第二面上，所述自旋霍尔效应层还包括第一端和第二端；与所述第二端耦接的源线；开关组件，所述开关组件使所述第一端分别耦合于所述第一节点与所述第二节点，并且所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第一节点耦接，使所述第二磁性隧道结与所述第二节点耦接。

可选的，所述第一磁性隧道结包括位于所述第一面上的第一自由层，位于所述第一自由层上的第一隧道栅层，以及位于所述第一隧道栅层上的第一固定层。

可选的，所述第二磁性隧道结包括位于所述第二面上的第二自由层，位于所述第二自由层上的第二隧道栅层，以及位于所述第二隧道栅层上的第二固定层。

可选的，还包括：第二字线；所述开关组件包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的源极与第四晶体管的漏极均耦接所述第一端，所述第三晶体管的源极耦接所述第一节点，所述第四晶体管的源极耦接所述第二节点，所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极均耦接所述第二字线。

可选的，还包括：第三字线；所述开关组件还包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的漏极与所述第一磁性隧道结耦接，所述第五晶体管的源极与所述第一节点耦接，所述第六晶体管的漏极与所述第二磁性隧道结耦接，所述第六晶体管的源极与所述第二节点耦接，所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极均耦接第三字线。