[发明专利]半导体器件封装及其制造方法有效
申请号: | 202010023483.2 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN111435669B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 叶剑蝉;郭盈志;林蔚峰 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件封装,其包括:
具有第一表面的透明衬底,所述透明衬底在所述透明衬底的所述第一表面下方具有第一空腔;
光检测器,其设置在所述第一空腔内,所述光检测器具有面向所述透明衬底的所述第一空腔的底表面的感测区域;
第一导电层,其设置在所述透明衬底上方并且电连接至所述光检测器;以及
第一钝化层,其设置在所述第一表面上和所述第一空腔的侧壁上,其中所述光检测器的一部分从所述第一钝化层暴露。
2.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中所述第一钝化层设置在所述透明衬底的所述第一表面上并且在所述第一空腔内以覆盖所述光检测器。
3.根据权利要求2所述的半导体器件封装,其中所述第一导电层设置在所述第一钝化层上并且穿透所述第一钝化层以电连接至所述光检测器。
4.根据权利要求2所述的半导体器件封装,其进一步包括:
第二钝化层,其设置在所述第一钝化层上并且覆盖所述第一导电层,所述第二钝化层具有一或多个开口以暴露所述第一导电层的一部分;以及
一或多个焊球,其设置在所述开口内以电连接至所述第一导电层。
5.根据权利要求2所述的半导体器件封装,其进一步包括第二导电层,所述第二导电层设置在所述光检测器的背表面上并且穿透所述光检测器以电连接至所述光检测器。
6.根据权利要求5所述的半导体器件封装,其中所述第二导电层通过导电通孔电连接至所述第一导电层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中所述第一导电层设置在所述第一钝化层上和所述第一空腔的所述底表面的一部分上。
8.根据权利要求7所述的半导体器件封装,其进一步包括第二钝化层,所述第二钝化层设置在所述第一导电层上并且暴露所述第一导电层的一部分,其中所述光检测器电连接至所述第一导电层的暴露部分。
9.根据权利要求8所述的半导体器件封装,其中所述光检测器通过凸块、柱或焊球电连接至所述第一导电层的暴露部分。
10.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其进一步包括微透镜,所述微透镜设置在所述光检测器的所述感测区域与所述第一空腔的所述底表面之间。
11.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中所述透明衬底是玻璃衬底。
12.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中所述光检测器与所述透明衬底的所述第一空腔的侧壁间隔开。
13.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中
所述透明衬底进一步包含从所述透明衬底的所述第一表面到所述透明衬底中的第二空腔,用于容纳非光学部件;且
所述第二空腔与所述第一空腔分开。
14.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中由所述空腔的所述底表面相对于所述空腔的侧壁限定的角度大于0度且等于或小于90度。
15.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其进一步包括设置在所述透明衬底的所述第一表面和侧表面上的保护层。
16.根据权利要求15所述的半导体器件封装,其中
所述透明衬底的所述侧表面进一步包含第一侧表面和与所述第一侧表面不共面的第二侧表面;且
所述保护层设置在所述透明衬底的所述第一侧表面上,并且暴露出所述透明衬底的所述第二侧表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的