[发明专利]半导体器件封装及其制造方法有效
申请号: | 202010023483.2 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN111435669B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 叶剑蝉;郭盈志;林蔚峰 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 及其 制造 方法 | ||
本申请案涉及一种半导体器件封装和其制造方法。半导体器件封装包含透明衬底、光检测器和第一导电层。所述透明衬底具有第一表面和在所述第一表面下方的第一空腔。所述光检测器设置在所述第一空腔内。所述光检测器具有面向所述透明衬底的所述第一空腔的底表面的感测区域。所述第一导电层设置在所述透明衬底上方并且电连接至所述光检测器。
技术领域
本公开涉及一种半导体器件封装及其制造方法,并且更具体地,涉及一种包含光学器件的半导体器件封装及其制造方法。
背景技术
光学器件(诸如图像传感器)被广泛用于许多应用中,诸如数字相机、蜂窝电话、安全相机、医疗、汽车等。用于制造光学器件的技术一直以巨大的步伐继续发展。例如,对更高的分辨率和更低的功耗的需求鼓励了光学器件和其它电子部件的小型化和集成,以形成系统级封装(SiP)。
在一些现有的半导体器件封装中,为了将光学器件和其它电子部件集成到封装中,可以将光学器件和其它电子部件布置成堆叠结构。例如,光学器件可以堆叠在其它电子部件上。然而,具有堆叠结构的半导体器件封装具有相对较高的制造成本。此外,在堆叠结构中可能发生一些问题(例如,翘曲、分层等),这将不利地影响半导体器件封装的性能或可靠性。此外,具有堆叠结构的半导体器件封装具有相对较大的尺寸(厚度)。
发明内容
在一些实施例中,一种半导体器件封装包含透明衬底、光检测器和第一导电层。所述透明衬底具有第一表面和在所述第一表面下方的第一空腔。所述光检测器设置在所述第一空腔内。所述光检测器具有面向所述透明衬底的第一空腔的底表面的感测区域。所述第一导电层设置在所述透明衬底上方并且电连接至所述光检测器。
在一些实施例中,一种用于制造半导体器件封装的方法包含:(a)提供具有空腔的透明衬底;(b)在所述透明衬底的所述空腔内设置光检测器,所述光检测器具有面向所述透明衬底的所述空腔的底表面的检测区域。(c)在所述透明衬底上和所述空腔内形成第一钝化层,以覆盖所述光检测器的至少一部分;以及(d)在所述第一钝化层上形成第一导电层并且电连接至所述光检测器。
在一些实施例中,一种用于制造半导体器件封装的方法包含:(a)提供具有空腔的透明衬底;(b)在所述透明衬底上和所述空腔的侧壁上形成第一钝化层;(c)在所述第一钝化层和所述空腔的底表面的一部分上形成导电层;以及(d)将光检测器设置在所述透明衬底的所述空腔内并且电连接至所述空腔的所述底表面上的所述导电层,所述光检测器具有面向所述透明衬底的所述空腔的所述底表面的感测区域。
附图说明
当结合附图阅读时,根据以下详细描述可以最好地理解本公开的一些实施例的各方面。注意,各种结构可能未按比例绘制,并且为了讨论的清楚,各种结构的尺寸可以任意增加或减小。
图1示出根据本公开的一些实施例的半导体器件封装的截面图。
图2A示出根据本公开的一些实施例的半导体器件封装的截面图。
图2B示出根据本公开的一些实施例的半导体器件封装的俯视图。
图2C示出根据本公开的一些实施例的半导体器件封装的俯视图。
图3示出根据本公开的一些实施例的半导体器件封装的截面图。
图4示出根据本公开的一些实施例的半导体器件封装的截面图。
图5示出根据本公开的一些实施例的半导体器件封装的截面图。
图6示出根据本公开的一些实施例的半导体器件封装的截面图。
图7A、7B、7C、7D、7E和7F示出根据本公开的一些实施例的半导体封装制造工艺的多个阶段。
图8A、8B、8C、8D和8E示出根据本公开的一些实施例的半导体封装制造工艺的多个阶段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的