[发明专利]一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构有效

申请号：	202010023986.X	申请日：	2020-01-09
公开（公告）号：	CN111211167B	公开（公告）日：	2022-04-01
发明（设计）人：	王颖;张孝冬;于成浩;曹菲	申请（专利权）人：	杭州电子科技大学
主分类号：	H01L29/739	分类号：	H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
代理公司：	杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240	代理人：	杨舟涛
地址：	310018 浙***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种消除效应 rc igbt 器件结构
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【权利要求书】：

1.一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构，其特征在于，RC-IGBT器件通过离子注入在N型衬底背面形成一定厚度的N-buffer层，N-buffer层的宽度小于N-漂移区的宽度，一定厚度的N-buffer层通过离子注入形成P+柱，进而形成一个N-buffer层内部下沿带有多个P+柱的混合交替排列N型和P型的缓冲层；N型集电区和P型集电区被空隙分隔开，所述的N型集电区上方的P+柱不与P型集电区接触；N-buffer层中最靠近N型集电区一侧的P+柱边缘超出N-buffer层。

2.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的P+柱数量为三个。

3.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的离子注入一定厚度的N-buffer层的掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构，其特征在于：N-buffer层中最靠近N型集电区一侧的P+柱边缘与N型集电区外侧边缘的距离为1.2μm。

5.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的离子注入一定厚度的N-buffer层的厚度为6μm。

6.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的离子注入一定厚度的混合P+柱/N-buffer层的P+型掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3。

7.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构，其特征在于：所述的离子注入一定厚度的混合P+柱/N-buffer层的P+型厚度为5μm。

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