[发明专利]电致发光显示装置和电致发光显示装置的制造方法在审
申请号: | 202010026337.5 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111435675A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 前田典久 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种电致发光显示装置,其特征在于:
具有将以特定的颜色发光的像素规则地排列而构成的像素阵列,并且该像素阵列是彼此以不同的颜色发光的至少多个像素的阵列,
从观察方向看时,所述像素中依次层叠有共用电极、第一阻挡层、发光层、第二阻挡层和像素电极,
至少所述发光层、所述第二阻挡层和所述像素电极按每一个所述像素独立地设置,
相邻的像素由隔堤分隔,
至少在所述像素阵列的一部分中,在所述隔堤上,在属于一个像素的所述发光层之上局部地重叠有属于具有不同于所述一个像素的发光色的另一像素的所述第二阻挡层。
2.如权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征在于:
至少在所述像素阵列的一部分中,在所述隔堤上,在属于一个像素的所述发光层之上局部地重叠有属于具有不同于所述一个像素的发光色的另一像素的所述第二阻挡层,进一步在该第二阻挡层之上局部地重叠属于所述另一像素的所述发光层。
3.如权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征在于:
至少在具有一个发光色的属于所述像素阵列的像素中,所述第二阻挡层的面积大于所述发光层的面积。
4.如权利要求3所述的电致发光显示装置,其特征在于:
在具有不同于所述一个发光色的另一发光色的属于所述像素阵列的像素中,所述第二阻挡层的面积与所述发光层的面积相等。
5.如权利要求3所述的电致发光显示装置,其特征在于:
至少在所述像素阵列的一部分中,在所述隔堤上,在属于一个像素的所述第二阻挡层之上局部地层叠有属于具有不同于所述一个像素的发光色的另一像素的所述第二阻挡层。
6.如权利要求3所述的电致发光显示装置,其特征在于:
在具有所述一个发光色的属于所述像素阵列的像素中,所述第二阻挡层的重心位置从所述发光层的重心位置偏离。
7.一种电致发光显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成像素电极和将相邻的像隔开素的隔堤的步骤;
关于一个发光色,使用第一掩模形成第二阻挡层之后,使用不同于所述第一掩模的第二掩模形成发光层的步骤;
之后,至少关于不同于所述一个发光色的另一发光色,使用第三掩模形成第二阻挡层之后,使用与所述第三掩模不同的第四掩模形成发光层的步骤;和
形成第一阻挡层和共用电极的步骤。
8.如权利要求7所述的电致发光显示装置的制造方法,其特征在于:
至少关于所述另一发光色的所述第二阻挡层的面积比关于所述另一发光色的所述发光层的面积大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的