[发明专利]电致发光显示装置和电致发光显示装置的制造方法在审
申请号: | 202010026337.5 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111435675A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 前田典久 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示装置 制造 方法 | ||
本发明提供一种电致发光显示装置,其具有将以特定的颜色发光的像素规则地排列而构成的像素阵列,并且该像素阵列是彼此以不同的颜色发光的至少多个像素的阵列,在从观看方向看时,所述像素中依次层叠有共用电极(10)、第一阻挡层、发光层(7)、第二阻挡层和像素电极(3),至少发光层(7)、所述第二阻挡层和像素电极(3)按每一个所述像素独立地设置,相邻的像素由隔堤(4)分隔,至少在所述像素阵列的一部分中,在隔堤(4)上,在属于一个像素的发光层(7)之上局部地重叠属于具有不同于所述一个像素的发光色的另一像素的所述第二阻挡层。根据本发明,能够降低相邻像素色的非意图的发光导致的混色和在隔堤上的原色发光的产生。
技术领域
本发明涉及电致发光显示装置和电致发光显示装置的制造方法。
背景技术
在WO2012/039213A1中记载有多个电荷产生层与有机层以相互重叠的方式层叠的有机发光装置。特别是在其图3中公开了表示第一有机层、第一电荷产生层、第二有机层、第二电荷产生层和第三有机层依次层叠的一个实施方式的截面图。
图1是表示顶部发射型的电致发光显示装置400的代表性构造的示意截面图。电致发光显示装置400为将基板1、形成在基板1上的电路层2、按每一个像素形成的像素电极3、隔开像素的隔堤4、跨像素电极3和隔堤4上而形成的空穴注入层5、按每一个像素独立地形成的电子阻挡层6R、6G、6B及发光层7R、7G、7B、空穴阻挡层8、电子注入层9、共用电极10和密封层11依次层叠而成的构造。
在图1所示的电致发光显示装置400中,各像素具有RGB三色中的任意者的发光色,由隔堤4划分的区域各自成为一个像素。在图1中,将各像素根据其颜色标注R、G、B的符号来表示。此外,有时将由隔堤4划分的像素的区域称为开口区域,而由隔堤4形成的像素以外的区域称为矩阵区域。
另外,按每一个像素独立地形成的电子阻挡层6和发光层7,符号的末尾标注R、G、B任意一者的文字来表示是属于哪一个发光色的像素。此外,在没有特别地特定是属于哪一像素的情况下,就不标注R、G、B任意者的文字,仅表示为电子阻挡层6和发光层7。
另外,在图1所示的例子中,空穴注入层5和电子注入层9不是按每一个像素独立设置而是共用地设置,但这两者或者任意一者按每一个像素独立地设置也是可以的。
在图1的电致发光显示装置400中,使任意的像素发光的情况下,例如,以像素B为例进行说明,当对属于像素B的像素电极3施加正电压时,经由空穴注入层5、电子阻挡层6B到达发光层7B的空穴,与从共用电极10经由电子注入层9、空穴阻挡层8到达发光层7B的电子结合,产生对应于发光层7B的材质的蓝色的光。在该图中,空穴的移动路径由箭头H表示,电子的移动路径由箭头E表示。
构成图1所示的电致发光显示装置400的各层通常通过使用了光刻和精细掩模的蒸镀等的制膜工艺来形成。这时,由于机械的定位精度和材料的尺寸误差等的影响,各层形成的位置存在在水平方向上偏离数μm的情况。并且,该偏离在考虑到像素的尺寸通常为数十μm~数百μm程度时,是不能被无视的。
由于这样的偏离,考虑例如如图2所示,像素G的发光层7G向图中右侧偏离地形成,在隔堤4上的区域13中,重叠于相邻的像素B的电子阻挡层6B的情况。在该图中,在区域13,在发光层7G之上进一步重叠发光层7B。这时,当使像素G或者像素B发光的情况下,这里可以认为使像素B发光的情况。
当对属于像素B的像素电极3施加正电压时,所产生的空穴与电子的几乎全部在像素B的范围内结合,使像素B发出蓝色光。但是,一部分的空穴如箭头H所示在电子阻挡层6B内向像素B的外侧移动,并侵入区域13。该空穴如箭头E所示与从共用电极10导入的电子在发光层7G内结合,产生了非意图的绿色的发光。
像这样,由于构成电致发光显示装置400的各层的水平方向的偏离,存在在隔堤4上产生非意图的颜色的发光的情况。当产生了这样的发光时,由于混色而导致色纯度降低,造成电致发光显示装置400的显示图像的品质降低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的