[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成图形材料层；

对所述图形材料层进行多次凹槽形成步骤，依次在所述图形材料层的多个位置形成凹槽，剩余的所述图形材料层作为图形层，所述凹槽形成步骤包括：在所述图形材料层上形成掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜层和位于所述第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有开口；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述图形材料层，在所述图形材料层中形成凹槽；位于所述图形材料层顶面的所述第一掩膜层作为保护层；去除所述第二掩膜层；

形成所述图形层后，去除所述保护层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽形成步骤中，所述图形材料层顶面的所述保护层的厚度为至

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤中，去除所述第二掩膜层；

形成所述保护层的步骤还包括：形成所述凹槽后，刻蚀所述图形材料层顶面部分厚度的所述第一掩膜层，位于所述图形材料层顶面剩余的所述第一掩膜层作为保护层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤还包括：形成所述凹槽后，刻蚀所述图形材料层顶面部分厚度的所述第一掩膜层，位于所述图形材料层顶面剩余的所述第一掩膜层作为保护层；

刻蚀所述图形材料层顶面部分厚度的所述第一掩膜层的步骤中，去除所述第二掩膜层。

5.如权利要求3或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用灰化工艺刻蚀所述图形材料层顶面部分厚度的所述第一掩膜层，形成所述保护层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用灰化工艺刻蚀部分厚度的所述第一掩膜层的工艺参数包括：反应气体包括O₂和N₂，载气包括Ar和He中的一种或两种，反应气体的流量为50sccm至300sccm，腔室压强为5mTorr至30mTorr。

7.如权利要求3或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括有机材料层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机材料层的材料包括：SOC材料、SOH材料、ODL材料、DUO材料和APF材料中的一种或多种。

9.如权利要求3或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氧碳化硅、正硅酸乙酯、多晶硅和氧掺杂的碳化硅中的一种或多种。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述图形材料层顶面部分厚度的所述第一掩膜层，形成所述保护层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括底部抗反射涂层和位于所述底部抗反射涂层上的光刻胶层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口位于所述光刻胶层中。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述掩膜层为掩膜，采用各向异性的反应离子刻蚀工艺刻蚀所述图形材料层，在所述图形材料层中形成所述凹槽。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述保护层后，在所述凹槽中形成顶部掩膜层；

去除所述图形层，以所述顶部掩膜层为掩膜刻蚀基底，形成剩余基底和位于所述剩余基底上的隔离层；

在所述隔离层之间的剩余基底上形成导电层。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括介电层。