[发明专利]一种基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法

权利要求书

1.基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法，其特征在于：在机载小型化设备的浪涌抑制设备中，采用基于理想二极管的控制器电路，通过对理想二极管的控制，保护负载免受高电压瞬变影响，使得浪涌抑制电路在输入10A电流下可承受600V/10us的脉冲尖峰电压和80V/100ms的过压浪涌，保护后端电路稳定工作，且在电路内部集成肖特基二极管防倒灌电路，欠压浪涌时可有效防止储能电容电压倒灌。

2.如权利要求1所述的基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法，其特征在于：所述的基于理想二极管的控制器电路包括尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路，通过尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路的联合控制实现浪涌抑制；其中，通过尖峰抑制电路抑制高频干扰及平缓脉冲，通过前端滤波电路为后端稳压电路进行滤波；通过过压抑制电路实现反向输入保护和输出电压停滞；通过去纹波电路消除输出纹波。

3.如权利要求1所述的基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法，其特征在于：所述的通过对理想二极管的控制是将理想二极管控制器U1的第16脚连接至电阻R6及电阻R8之间，通过分压设计将输出电压稳定至35.4V，且当电源输入Uin过压或欠压时，理想二极管控制器U1可将输出电压稳定在35.4V；同时理想二极管控制器U1控制MOS管的金氧半场效晶体管Q1的正向电压降，并在电源故障、电流短路或输入不足的情况下，将反向瞬变电流最小化；并采用N沟道MOS管的金氧半场效晶体管Q2来取代一个肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压停滞，当负载纹波超过30mV，理想二极管控制器U1内部电路将第4脚电压高出第5脚电压10-12V，即MOS管的金氧半场效晶体管Q2的UGS压降控制在10-12V，此时的金氧半场效晶体管Q2处于导通状态，防止负载电流倒灌。

4.一种实现权利要求1所述基于理想二极管的机载用电设备抑制直流浪涌方法的抑制直流浪涌电路，其特征在于：在抑制直流浪涌电路中包括理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块，通过理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块，保护负载免受高电压瞬变影响。

5.如权利要求3所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的理想二极管控制器电路和保护负载免受高电压瞬变影响的浪涌抑制电路模块包括浪涌抑制电路和EMI 滤波器。

6.如权利要求4所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的浪涌抑制电路包括尖峰抑制电路、前端滤波电路、过压抑制电路、去纹波电路；其中，通过尖峰抑制电路抑制高频干扰及平缓脉冲；通过前端滤波电路为后端稳压电路进行滤波；过压抑制电路为80V/50ms 的过压浪涌电路，用于反向输入保护和输出电压停滞；去纹波电路为消除输出纹波，用于控制纹波范围为50mVp-p。

7.如权利要求6所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的尖峰抑制电路为电源输入Uin的正极接至二极管D1的负极及电容CX1的一端，电源输入Uin的负极接至二极管D1的正极及电容CX1的另一端，电感L1的一端接至电源输入Uin的正极，另一端接至电容CX2的正极，电感L3的一端接至电源输入Uin的负极，另一端接至电容CX2的负极；尖峰抑制电路用于吸收600V/10us 脉冲电压，将600V尖峰钳位到80-90V， 二极管选用TVS 管；电感L1及电感L3 主要抑制高频干扰及平缓脉冲。

8.如权利要求6所述的抑制直流浪涌电路，其特征在于：所述的前端滤波电路包括电容CX2、电容CX3和电感L2，电容CX2、电容CX3和电感L2为π型滤波器；其中，电容CX2的正极接至电感L2的2脚，电容CX3的正极接至电感L2的1脚，电容CX2的负极及电容CX3的负极均接至负载输出Uout的负极；前端滤波电路为后端稳压电路起到滤波作用。