[发明专利]存储器系统及控制半导体存储装置的方法

权利要求书

1.一种存储器系统，其特征在于包括：

半导体存储装置，包含多个存储单元和字线，所述多个存储单元包含存储单元页面，所述多个存储单元包括第1存储单元、第2存储单元、第3存储单元以及第4存储单元，所述字线电连接到所述第1存储单元、所述第2存储单元、所述第3存储单元以及所述第4存储单元的栅极；以及

控制器，构成为从所述存储单元页面读取数据且对所述半导体存储装置发出第1写入命令或第2写入命令；其中

所述半导体存储装置响应于所述发出的第1写入命令，对所述存储单元页面执行第1编程操作且使用第1验证电压对所述页面的所述存储单元执行第1验证操作；且

所述半导体存储装置响应于所述发出的第2写入命令，当所述发出的第2写入命令对应于所述存储单元的第1子集时，对所述页面的所述存储单元的所述第1子集执行第2编程操作，所述存储单元的所述第1子集包含所述第1存储单元和所述第2存储单元，并使用第2验证电压对所述存储单元的所述第1子集执行第2验证操作，且当所述发出的第2写入命令对应于所述存储单元的第2子集时，对所述页面的所述存储单元的所述第2子集执行所述第2编程操作，所述存储单元的所述第2子集包含所述第3存储单元和所述第4存储单元，并使用第3验证电压对所述存储单元的所述第2子集执行第3验证操作。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于：

所述存储器系统可连接到主机设备，且

所述控制器构成为响应于从所述主机设备接收到的写入命令而对所述半导体存储装置发出所述第1写入命令或所述第2写入命令。

3.根据权利要求2所述的存储器系统，其特征在于：

所述控制器构成为响应于从所述主机设备接收到的读取命令而从所述存储单元页面读取数据。

4.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于：

所述第3验证电压与所述第2验证电压不同。

5.根据权利要求4所述的存储器系统，其特征在于：

在对所述存储单元的所述第1子集的所述第2编程操作已经执行且所述第1子集的所述存储单元已通过验证后，所述控制器执行对所述存储单元的所述第2子集的所述第2编程操作。

6.根据权利要求5所述的存储器系统，其特征在于：

所述第3验证电压大于所述第2验证电压。

7.根据权利要求5所述的存储器系统，其特征在于：

所述半导体存储装置通过在多个循环中将电平增加的编程电压施加到所述字线来执行对所述存储单元的所述第1子集的所述第2编程操作，

所述半导体存储装置通过在多个循环中将电平增加的编程电压施加到所述字线来执行对所述存储单元的所述第2子集的所述第2编程操作，且

在对所述第1子集的所述存储单元执行所述第2编程操作时用于每一后续循环的所述编程电压的增加量大于在对所述第2子集的所述存储单元执行所述第2编程操作时用于每一后续循环的所述编程电压的增加量。

8.根据权利要求7所述的存储器系统，其特征在于：

在对所述第1子集的所述存储单元执行所述第2编程操作时用于每一后续循环的所述编程电压的增加的电平小于在对所述第2子集的所述存储单元执行所述第2编程操作时用于每一后续循环的所述编程电压的增加的电平。

9.根据权利要求5所述的存储器系统，其特征在于：

所述半导体存储装置响应于所述发出的第2写入命令，使用所述第2验证电压对所述第1子集中的所述存储单元执行预验证操作。

10.根据权利要求9所述的存储器系统，其特征在于：

在所述预验证操作期间，对所述字线施加第1读取电压，接着施加大于所述第1读取电压的第2读取电压。