[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1衬底，设置有第1端子；

第1半导体芯片，在与所述第1衬底相向的第1面上，具有与所述第1衬底的所述第1端子连接的电极；及

非导电性的第1树脂层，设置在所述第1衬底与所述第1半导体芯片之间，且覆盖所述第1半导体芯片的与所述第1面为相反侧的第2面整体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1树脂层的上表面比所述第2面平坦。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还具备：粘结层，设置在所述第1树脂层的所述上表面上；及

第2半导体芯片，设置在所述粘结层上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还具备间隔件，该间隔件设置在所述第1半导体芯片的周围，具有与所述第1树脂层的所述上表面的高度大体相等的高度，

所述第2半导体芯片设置在所述第1树脂层及所述间隔件之上。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中，所述第1树脂层的厚度为所述第1半导体芯片的翘曲量以上。

6.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：向设置有第1端子的第1衬底上供给非导电性的第1树脂层的材料，

以第1半导体芯片的第1面上设置的电极与所述第1端子对应的方式，在所述第1衬底上层叠第1半导体芯片，

通过对所述第1衬底及所述第1半导体芯片施加压力同时加热，而将所述第1半导体芯片的电极与所述第1衬底的端子连接，

在所述第1半导体芯片的与所述第1面为相反侧的第2面整体上覆盖所述第1树脂层的材料。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第1树脂层的上表面比所述第2面平坦。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，使用压接装置将所述第1半导体芯片的电极与所述第1衬底的端子连接后，平坦化所述第1树脂层时，利用树脂膜使所述第1树脂层的上表面平坦化。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，使用压接装置将所述第1端子与所述电极连接后，在所述第2面与所述压接装置之间设置间隙，并向所述间隙内导入所述第1树脂层的材料。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，使用压接装置将所述第1端子与所述电极连接后，再次向所述第2面上供给所述第1树脂层的材料，所述压接装置利用所述第1树脂层的材料覆盖所述第2面整体。