[发明专利]恩曲替尼晶型及其制备方法

权利要求书

1.一种如式I所示的化合物的晶型，其特征在于，

(I)

所述的晶型为晶型AZT-A或晶型AZT-B；

其中，所述的晶型为晶型AZT-A，且所述晶型AZT-A的XRPD图包括所有选自下组的2θ值：7.9±0.2°、9.4±0.2°、13.1±0.2°、13.9±0.2°、14.4±0.2°、15.4±0.2°、16.0±0.2°、16.2±0.2°、17.6±0.2°、20.6±0.2°、22.7±0.2°、23.4±0.2°、24.1±0.2°、28.0±0.2；并且所述晶型AZT-A为恩曲替尼的无水物且所述晶型AZT-A在162.5±0.5℃和196.78±0.5℃各有一个吸热峰；

所述的晶型为晶型AZT-B，且所述晶型AZT-B的XRPD图包括所有选自下组的2θ值：7.4±0.2°、8.1±0.2°、11.4±0.2°、12.0±0.2°、14.8±0.2°、17.2±0.2°、19.9±0.2°、20.9±0.2°、22.3±0.2°、23.5±0.2°、24.1±0.2°；并且所述晶型AZT-B为恩曲替尼的无水物且所述晶型AZT-B在147.3±0.5℃有熔融吸热峰。

2.如权利要求1所述的晶型，其特征在于，所述的晶型为晶型AZT-A，所述晶型AZT-A还具有下述特征：

所述晶型AZT-A在30℃-150℃范围内失重0.3±0.1%。

3.如权利要求1所述的晶型，其特征在于，所述的晶型为晶型AZT-B，且所述晶型AZT-B还具有下述特征：

所述晶型AZT-B在30℃-150℃范围内失重0.8±0.1%。

4.如权利要求1所述的晶型，其特征在于，所述的晶型为晶型AZT-A，且所述晶型AZT-A还具有下述一个或多个特征：

(1) 所述晶型AZT-A具有基本如图1所示的XRPD谱图；

(2) 所述晶型AZT-A具有基本如图2所示的TGA谱图；和/或

(3) 所述晶型AZT-A具有基本如图3所示的DSC谱图。

5.如权利要求1所述的晶型，其特征在于，所述的晶型为晶型AZT-B，且所述晶型AZT-B还具有下述一个或多个特征：

(1) 所述晶型AZT-B具有基本如图5所示的XRPD谱图；

(2) 所述晶型AZT-B具有基本如图6所示的TGA谱图；和/或

(3) 所述晶型AZT-B具有基本如图7所示的DSC谱图。

6.一种如权利要求1所述的晶型的制备方法，其特征在于，所述的晶型为晶型AZT-A，并且

所述方法包括步骤：

a1) 将恩曲替尼原料溶解于溶剂A中，从而得到恩曲替尼原料于溶剂A中的溶液；

a2) 将溶液A进行冷却析晶，收集析出晶体并干燥，从而得到晶型AZT-A；

其中，所述的溶剂A为酯类溶剂，或者含酯类溶剂的混合溶剂；并且所述含酯类溶剂的混合溶剂为酯类溶剂与选自下组的溶剂组成的混合溶剂：醇类溶剂；并且其中，所述酯类溶剂选自：乙酸乙酯、乙酸异丙酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸正丙酯、乙酸丁酯，或其组合；所述醇类溶剂选自：甲醇、乙醇、异丙醇，或其组合；

或者，

所述的方法包括步骤：

将晶型AZT-C在T_A温度下保温t_A时间，从而得到晶型AZT-A；

其中，T_A=60～100℃，t_A=1～10h；在粉末X射线衍射下，所述的晶型AZT-C具有基本如图9所示的XRPD谱图，且晶型AZT-C通过如下步骤制得：提供恩曲替尼原料于溶剂C中的溶液，通过加入晶种使溶液析晶，收集析出固体，从而得到晶型AZT-C；其中，所述溶剂C选自：乙酸乙酯、乙酸异丙酯、乙酸丁酯，或其组合。

7.一种如权利要求1所述的晶型的制备方法，其特征在于，所述的晶型为晶型AZT-B，并且所述方法包括步骤：

将恩曲替尼原料于溶剂B中打浆，干燥，从而得到晶型AZT-B；其中，所述溶剂B选自：甲醇、乙醇、乙腈，或其组合。