[发明专利]一种具有高电催化制氢活性的超薄碳化钼纳米片制备方法

权利要求书

1.一种具备高电催化活性的超薄碳化钼纳米片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

前驱体制备：

步骤1：称取质量为Ag的MoO₃加入装有容积为B mL的浓度为30％的H₂O₂溶液的容器中，在室温条件下搅拌50h，制备成混合液；

步骤2：在上述混合液中加入容积为C mL的去离子水，并将其加热至56～64℃直至溶液中的残渣完全溶解，继续加热至80℃，分解剩余H₂O₂，得到溶液呈橙色的钼过氧化水合物；

步骤3：保持80℃温度条件的情况下，在上述钼过氧化水合物溶液中加入质量为Dg的蔗糖，继续加热搅拌至得到溶液呈蓝色后停止加热，得到溶液呈蓝色的钼过氧化水合物；

步骤4：将得到的溶液呈蓝色的钼过氧化水合物放置沉化至少1天后，放入100℃的环境中进行烘干，得到所述前驱体；

碳化钼制备：

步骤5：将得到的前驱体装入管式气氛炉中，并向管式气氛炉内持续通入N2气体；

步骤6：控制管式气氛炉的温度以5℃/min的恒定速率升温至指定温度，并控制管式气氛炉保持所述指定温度4小时,制得所述超薄碳化钼纳米片，所述制定温度为700℃～1000℃；

上述步骤1-步骤6中所添加MoO₃剂量为Ag、H₂O₂溶液剂量为B mL、离子水剂量为C mL、蔗糖剂量为D g。上述A、B、C、D四种剂量配方比例为0.28g:1mL:1mL:0.2g。

2.根据权利要求1所述的具备高电催化活性的超薄碳化钼纳米片制备方法，其特征在于：所述制定温度为700℃。

3.根据权利要求1所述的具备高电催化活性的超薄碳化钼纳米片制备方法，其特征在于：所述制定温度为800℃。

4.根据权利要求1所述的具备高电催化活性的超薄碳化钼纳米片制备方法，其特征在于：所述制定温度为900℃。

5.根据权利要求1所述的具备高电催化活性的超薄碳化钼纳米片制备方法，其特征在于：所述制定温度为1000℃。

6.根据权利要求1至5中任意一种所述的具备高电催化活性的超薄碳化钼纳米片制备方法，其特征在于：所述步骤1中MoO₃的质量为7g；步骤3中蔗糖的质量为5g。

7.根据权利要求1至5中任意一种所述的具备高电催化活性的超薄碳化钼纳米片制备方法，其特征在于：所述步骤1中加入25mLH₂O₂溶液；所述步骤2中加入25mL去离子水。